特許
J-GLOBAL ID：201703000755386977
炭素微小電極の製造方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
特許業務法人 志賀国際特許事務所
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2015-139843
公開番号（公開出願番号）：特開2017-020944
出願日： 2015年07月13日
公開日（公表日）： 2017年01月26日
要約：
【課題】本発明は、高精度な電気化学測定が実現可能な炭素微小電極を提供する。【解決手段】本発明は、微小電極の形状にパターンニングした触媒金属層の表面上に、化学気相成長法(CVD法)によりグラフェン層をパターン通りに成長させる第1工程と、前記パターン状に成長させたグラフェン層を剥離して電極基板上に載置する第2工程と、を備える炭素微小電極の製造方法である。【選択図】なし
請求項（抜粋）：
微小電極の形状にパターンニングした触媒金属層の表面上に、
化学気相成長法(CVD法)によりグラフェン層をパターン通りに成長させる第1工程と、
前記パターン状に成長させたグラフェン層を剥離して電極基板上に載置する第2工程と、
を備えることを特徴とする炭素微小電極の製造方法。
IPC (1件)：
FI (1件)：
引用特許：
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