特許

J-GLOBAL ID：202003011715288635

電解質膜及びその製造方法

発明者： 山口 猛央 ,  大柴 雄平
出願人/特許権者： 地方独立行政法人神奈川県立産業技術総合研究所
代理人 (1件)： 家入 健
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2019-059980
公開番号（公開出願番号）：特開2020-161343
出願日： 2019年03月27日
公開日（公表日）： 2020年10月01日
要約：

【課題】高EWのポリマーを高密度で充填可能な電解質膜の製造方法、及び、機械強度及びプロトン伝導性に優れた電解質膜を提供すること。【解決手段】EW780〜1200のパーフルオロスルホン酸ポリマーと溶媒とを含む組成物を準備し、当該組成物をオートクレーブ処理する工程と、平均孔径が1〜1000nmであり、空孔率が50〜90%である、ポリオレフィン多孔質膜に、前記組成物を含浸する工程と、ポリオレフィン多孔質膜を乾燥して前記溶媒を除去する工程と、乾燥後のポリオレフィン多孔質膜をアニーリング処理する工程と、を有する、電解質膜の製造方法。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

EW780〜1200のパーフルオロスルホン酸ポリマーと溶媒とを含む組成物を準備し、当該組成物をオートクレーブ処理する工程と、 平均孔径が1〜1000nmであり、空孔率が50〜90%である、ポリオレフィン多孔質膜に、前記組成物を含浸する工程と、 ポリオレフィン多孔質膜を乾燥して前記溶媒を除去する工程と、 乾燥後のポリオレフィン多孔質膜をアニーリング処理する工程と、を有する、 電解質膜の製造方法。

IPC (9件)：

H01B 13/00 ,  H01M 8/108 ,  H01M 8/10 ,  H01M 8/106 ,  H01B 1/06 ,  H01B 1/12 ,  C25B 13/08 ,  C08J 9/40 ,  C08J 9/26

FI (12件)：

H01B13/00 Z ,  H01M8/1081 ,  H01M8/10 101 ,  H01M8/1062 ,  H01M8/106 ,  H01M8/1067 ,  H01M8/1065 ,  H01B1/06 A ,  H01B1/12 Z ,  C25B13/08 302 ,  C08J9/40 ,  C08J9/26

Fターム (45件)：

4F074AA17 ,  4F074AA18 ,  4F074AA98 ,  4F074AD01 ,  4F074AG02 ,  4F074AG20 ,  4F074CA03 ,  4F074CA04 ,  4F074CA06 ,  4F074CB03 ,  4F074CB16 ,  4F074CB17 ,  4F074CB28 ,  4F074CC02X ,  4F074CC02Y ,  4F074CC04Z ,  4F074CC22X ,  4F074CC27Y ,  4F074CC28X ,  4F074CC28Z ,  4F074CC29Y ,  4F074CC32X ,  4F074CC32Y ,  4F074CE15 ,  4F074CE43 ,  4F074CE50 ,  4F074CE93 ,  4F074CE98 ,  4F074DA02 ,  4F074DA03 ,  4F074DA23 ,  4F074DA49 ,  5G301CD01 ,  5G301CE01 ,  5H126AA05 ,  5H126BB06 ,  5H126GG18 ,  5H126GG19 ,  5H126HH01 ,  5H126HH03 ,  5H126JJ00 ,  5H126JJ03 ,  5H126JJ04 ,  5H126JJ08 ,  5H126JJ10