特許
J-GLOBAL ID：202003012034524825
半導体装置
発明者：
,
,
出願人/特許権者：
,
代理人 (3件)：
池上 徹真
, 須藤 章
, 高下 雅弘
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2018-173141
公開番号（公開出願番号）：特開2020-047683
出願日： 2018年09月15日
公開日（公表日）： 2020年03月26日
要約：
【課題】信頼性の向上を可能とする半導体装置を提供する。【解決手段】実施形態の半導体装置は、第1の面と第2の面を有する炭化珪素層と、第1の面の側の第1の電極と、第2の面の側の第2の電極と、第1導電型の第1の炭化珪素領域と、第1の炭化珪素領域と第1の面の間の第2導電型の第2の炭化珪素領域及び第3の炭化珪素領域と、第1の炭化珪素領域と第2の炭化珪素領域の間の、第1の炭化珪素領域よりも第1導電型濃度の高い第5の炭化珪素領域と、第1の炭化珪素領域と第3の炭化珪素領域の間の、第1の炭化珪素領域よりも第1導電型濃度の高い第6の炭化珪素領域と、第5の炭化珪素領域と第6の炭化珪素領域の間の、第5の炭化珪素領域及び第6の炭化珪素領域よりも第1導電型濃度の低い第7の炭化珪素領域と、第7の炭化珪素領域と第1の面の間の、第1の電極と接する第1導電型の第8の炭化珪素領域と、ゲート電極と、ゲート絶縁層と、を備える。【選択図】図1
請求項（抜粋）：
第1の面と前記第1の面に対向する第2の面とを有する炭化珪素層と、
前記炭化珪素層の前記第1の面の側に設けられた第1の電極と、
前記炭化珪素層の前記第2の面の側に設けられた第2の電極と、
前記炭化珪素層の中の第1導電型の第1の炭化珪素領域と、
前記第1の炭化珪素領域と前記第1の面との間に設けられ、前記第1の面に接する第1の部分を有する第2導電型の第2の炭化珪素領域と、
前記第1の炭化珪素領域と前記第1の面との間に設けられ、前記第2の炭化珪素領域と離間した第2導電型の第3の炭化珪素領域と、
前記第2の炭化珪素領域と前記第1の面との間に設けられ、前記第1の電極と接する第1導電型の第4の炭化珪素領域と、
前記第1の炭化珪素領域と前記第2の炭化珪素領域との間に設けられ、前記第1の炭化珪素領域よりも第1導電型不純物濃度の高い第1導電型の第5の炭化珪素領域と、
前記第1の炭化珪素領域と前記第3の炭化珪素領域との間に設けられ、前記第1の炭化珪素領域よりも第1導電型不純物濃度の高い第1導電型の第6の炭化珪素領域と、
前記第5の炭化珪素領域と前記第6の炭化珪素領域との間に設けられ、前記第5の炭化珪素領域及び前記第6の炭化珪素領域よりも第1導電型不純物濃度の低い第1導電型の第7の炭化珪素領域と、
前記第7の炭化珪素領域と前記第1の面との間に設けられ前記第1の電極と接する第1導電型の第8の炭化珪素領域と、
前記炭化珪素層の前記第1の面の側に設けられ、前記第2の炭化珪素領域の前記第1の部分と対向するゲート電極と、
前記ゲート電極と前記第1の部分との間に設けられたゲート絶縁層と、
を備える半導体装置。
IPC (8件)：
H01L 29/78
, H01L 29/12
, H01L 29/872
, H01L 29/47
, H01L 29/417
, H01L 21/28
, H01L 29/861
, H01L 29/868
H01L29/78 657D
, H01L29/78 652T
, H01L29/78 652J
, H01L29/86 301D
, H01L29/86 301F
, H01L29/48 F
, H01L29/48 D
, H01L29/50 M
, H01L21/28 301B
, H01L29/91 F
, H01L29/91 K
, H01L29/91 C
, H01L29/78 652M
, H01L29/78 652F
4M104AA03
, 4M104BB05
, 4M104BB14
, 4M104BB21
, 4M104BB25
, 4M104CC01
, 4M104CC03
, 4M104DD96
, 4M104FF02
, 4M104FF32
, 4M104GG02
, 4M104GG03
, 4M104GG09
, 4M104GG18
, 4M104HH15
, 4M104HH17
