特許
J-GLOBAL ID：202003012120063865
半導体製造における金属ドープ炭素系ハードマスクの除去
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
特許業務法人明成国際特許事務所
公報種別：公表公報
出願番号（国際出願番号）：特願2019-567605
公開番号（公開出願番号）：特表2020-523785
出願日： 2018年06月04日
公開日（公表日）： 2020年08月06日
要約：
【解決手段】本明細書には、金属ドープ炭素含有材料をエッチングするための方法および装置が記載されている。エッチング方法は、金属ドープ炭素含有材料の炭素成分をエッチングするのに適したエッチングガスと、金属ドープ炭素含有材料の金属成分をエッチングするのに適した添加ガスとの混合物を用いることと、プラズマを点火して、高温で金属ドープ炭素含有材料を酸化シリコン、窒化シリコン、およびシリコンなどの下地層に対して選択的に除去することとを含む。金属ドープ炭素含有材料をエッチングするのに適した装置は、高温の移動可能な台座、プラズマ源、およびプラズマ生成領域と基板との間にシャワーヘッドを備える。【選択図】図1
請求項（抜粋）：
金属ドープ炭素含有材料を有する半導体基板を処理する方法であって、
前記金属ドープ炭素含有材料を有する基板を処理チャンバに提供することと、
前記基板を約200°Cから約500°Cの間の温度に加熱することと、
前記金属ドープ炭素含有材料をエッチングするために、第1のエッチングガスおよび第2のエッチングガスを含むガス混合物から生成されたプラズマに前記金属ドープ炭素含有材料を曝露することと、を含み、
前記第1のエッチングガスは、前記金属ドープ炭素含有材料の炭素を含む第1の揮発性副生成物を形成し、
前記第2のエッチングガスは、前記金属ドープ炭素含有材料の金属を含む第2の揮発性副生成物を形成する、方法。
IPC (1件)：
FI (2件)：
H01L21/302 105A
, H01L21/302 101C
5F004AA04
, 5F004AA16
, 5F004BA20
, 5F004BB22
, 5F004BB26
, 5F004BB28
, 5F004CA02
, 5F004CA03
, 5F004CA04
, 5F004CA06
, 5F004DA00
, 5F004DA04
, 5F004DA17
, 5F004DA18
, 5F004DA24
, 5F004DA25
, 5F004DA26
, 5F004DB00
, 5F004DB12
