面発光レーザ素子及び面発光レーザ素子の製造方法

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出願人/特許権者： ,
代理人 (1件)：特許業務法人レクスト国際特許事務所
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2018-164927
公開番号（公開出願番号）：特開2020-038892
出願日： 2018年09月03日
公開日（公表日）： 2020年03月12日
要約：

【課題】フォトニック結晶層を伝搬する光波に対する結合係数が大きく、低閾値電流密度で発振動作が可能な、フォトニック結晶を備えた面発光レーザ素子及びその製造方法を提供する。【解決手段】III族窒化物半導体からなる面発光レーザ素子であって、第1導電型の第1のクラッド層と、第1のクラッド層上に形成され、層に平行な面内において2次元的な周期性を有して配された空孔を有するフォトニック結晶層14Pと、当該フォトニック結晶層上に形成されて当該空孔を閉塞する第1の埋込層14Aと、を有する第1導電型の第1のガイド層14と、第1の埋込層上に結晶成長された第2埋込層21と、第2の埋込層上に形成された活性層と、活性層上に形成された第2のガイド層と、第2のガイド層上に形成された第1導電型と反対導電型の第2導電型の第2のクラッド層と、を有し、第1の埋込層の表面は、当該空孔に対応した表面位置に配されたピットを備える。【選択図】図2

請求項（抜粋）：

III族窒化物半導体からなる面発光レーザ素子であって、第1導電型の第1のクラッド層と、前記第1のクラッド層上に形成され、層に平行な面内において2次元的な周期性を有して配された空孔を有するフォトニック結晶層と、前記フォトニック結晶層上に形成されて前記空孔を閉塞する第1の埋込層と、を有する前記第1導電型の第1のガイド層と、前記第1の埋込層上に結晶成長された第2埋込層と、前記第2の埋込層上に形成された活性層と、前記活性層上に形成された第2のガイド層と、前記第2のガイド層上に形成された前記第1導電型と反対導電型の第2導電型の第2のクラッド層と、を有し、前記第1の埋込層の表面は、前記空孔に対応した表面位置に配されたピットを備える面発光レーザ素子。

IPC (4件)：

H01S 5/183 , H01S 5/323 , C30B 29/38 , C30B 25/18

FI (4件)：

H01S5/183 , H01S5/323 610 , C30B29/38 D , C30B25/18

Fターム (62件)：

4G077AA03 , 4G077AB01 , 4G077AB02 , 4G077BE15 , 4G077DB04 , 4G077DB08 , 4G077EA02 , 4G077EB01 , 4G077ED05 , 4G077ED06 , 4G077EF01 , 4G077FF10 , 4G077FG03 , 4G077FG18 , 4G077FJ06 , 4G077GA01 , 4G077GA03 , 4G077GA05 , 4G077GA06 , 4G077HA02 , 4G077TA04 , 4G077TA07 , 4G077TB02 , 4G077TB05 , 4G077TC02 , 4G077TC03 , 4G077TC14 , 4G077TC17 , 4G077TC19 , 4G077TK04 , 4G077TK06 , 4G077TK10 , 5F045AA00 , 5F045AA08 , 5F045AB14 , 5F045AB17 , 5F045AB33 , 5F045AC08 , 5F045AC12 , 5F045AC15 , 5F045AC19 , 5F045AD11 , 5F045AD12 , 5F045AD13 , 5F045AD14 , 5F045AD15 , 5F045AE29 , 5F045AF04 , 5F045BB16 , 5F045CA12 , 5F045DA52 , 5F045DA55 , 5F045DA59 , 5F045HA03 , 5F045HA13 , 5F173AC70 , 5F173AF52 , 5F173AH22 , 5F173AP05 , 5F173AP16 , 5F173AP30 , 5F173AP33

引用特許：

審査官引用 (5件)

半導体レーザ素子及びその製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願2009-273607 出願人：住友電気工業株式会社
III族窒化物系面発光素子およびその製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願2007-303158 出願人：住友電気工業株式会社
窒化物半導体の微細構造の製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願2009-178421 出願人：キヤノン株式会社

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引用文献：

審査官引用 (2件)

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