特許

J-GLOBAL ID：202003013039759924

トランジスタ・デバイス内に置換金属ゲートを製造する方法、フィン電界効果トランジスタデバイスおよびその製造方法

発明者： ホー、ホン ,  ワン、ジュンリー ,  ヤン、チーチャオ ,  リー、ジュンタオ
出願人/特許権者： インターナショナル・ビジネス・マシーンズ・コーポレーション
代理人 (2件)： 上野 剛史 ,  太佐 種一
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願2017-530173
特許番号：特許第6688301号
出願日： 2016年01月04日
請求項（抜粋）：

【請求項1】 トランジスタ・デバイス内に置換金属ゲートを製造する方法であって、 基板の上にダミー・ゲート構造を形成することであって、前記ダミー・ゲート構造が絶縁層によって取り囲まれる、前記形成することと、 前記絶縁層内にトレンチを露出させるように前記ダミー・ゲート構造を除去することと、 前記絶縁層の上、かつ前記トレンチ内に誘電体材料層および仕事関数金属層を共形に堆積させ、前記絶縁層の先端表面から前記誘電体材料層および前記仕事関数金属層を除去することと、 前記仕事関数金属層を前記トレンチの上部より下に凹めることと、 前記仕事関数金属層の露出面上にのみゲート金属を選択的に形成することと、 前記ゲート金属の上に誘電体キャップを形成して、前記トレンチを充填することと、 前記誘電体キャップを除去することと、 前記トレンチの金属充填を実施することと を含み、 前記ゲート金属を成長させた結果、前記トレンチの内壁内にギャップが生じるとき、前記誘電体キャップを除去することおよび前記金属充填を実施することが実施される、 方法。

IPC (7件)：

H01L 21/336 ( 200 6.01) ,  H01L 29/78 ( 200 6.01) ,  H01L 29/786 ( 200 6.01) ,  H01L 29/423 ( 200 6.01) ,  H01L 29/49 ( 200 6.01) ,  H01L 29/41 ( 200 6.01) ,  H01L 21/28 ( 200 6.01)

FI (7件)：

H01L 29/78 301 G ,  H01L 29/78 301 X ,  H01L 29/78 618 C ,  H01L 29/78 617 J ,  H01L 29/58 G ,  H01L 29/44 L ,  H01L 21/28 A

引用特許：

審査官引用 (4件)

• 電界効果トランジスタの金属ゲート構造
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2010-281727   出願人：台湾積體電路製造股ふん有限公司
• 特許第8507979号
  
• CMOSトランジスタゲートにおいてリセスされた仕事関数金属
  公報種別：公表公報   出願番号：特願2009-506646   出願人：インテル・コーポレーション
• 特許第8507979号