特許

J-GLOBAL ID：201103048846101108

電界効果トランジスタの金属ゲート構造

発明者： 林 秉順 ,  李 達元 ,  許 光源
出願人/特許権者： 台湾積體電路製造股▲ふん▼有限公司
代理人 (3件)： 河村 洌 ,  藤森 洋介 ,  谷 征史
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2010-281727
公開番号（公開出願番号）：特開2011-129929
出願日： 2010年12月17日
公開日（公表日）： 2011年06月30日
要約：

【課題】電界効果トランジスタの電気抵抗の小さい金属ゲート構造を提供する。【解決手段】本発明は、集積回路製造に関するものであって、特に、低抵抗の金属ゲート電極を有する電界効果トランジスタに関するものである。電界効果トランジスタのゲート電極の例は、凹部326aを有し、かつ、第一抵抗を有する第一金属材料からなる下側部分326と、突起328aを有し、かつ、第二抵抗を有する第二金属材料からなる上側部分328とからなり、突起が凹部に延伸し、第二抵抗は第一抵抗より小さい材料で形成される。【選択図】図3H

請求項（抜粋）：

電界効果トランジスタのゲート電極であって、 凹部を有し、かつ、第一抵抗を有する第一金属材料からなる下側部分と、 突起を有し、かつ、第二抵抗を有する第二金属材料からなる上側部分と、 を具備し、 前記突起が前記凹部に延伸し、前記第二抵抗は前記第一抵抗より小さいことを特徴とするゲート電極。

IPC (7件)：

H01L 29/78 ,  H01L 29/423 ,  H01L 29/49 ,  H01L 21/28 ,  H01L 27/092 ,  H01L 21/823 ,  H01L 29/786

FI (5件)：

H01L29/78 301G ,  H01L29/58 G ,  H01L21/28 301R ,  H01L27/08 321D ,  H01L29/78 617L

Fターム (93件)：

4M104AA01 ,  4M104AA03 ,  4M104AA05 ,  4M104BB02 ,  4M104BB04 ,  4M104BB14 ,  4M104BB17 ,  4M104BB18 ,  4M104BB29 ,  4M104BB34 ,  4M104BB36 ,  4M104CC05 ,  4M104DD03 ,  4M104DD86 ,  4M104EE03 ,  4M104EE09 ,  4M104EE14 ,  4M104EE16 ,  4M104EE17 ,  4M104FF06 ,  4M104FF13 ,  4M104FF17 ,  4M104FF18 ,  4M104GG09 ,  5F048AC03 ,  5F048BA01 ,  5F048BB01 ,  5F048BB04 ,  5F048BB09 ,  5F048BB11 ,  5F048BB12 ,  5F048BB13 ,  5F048BC06 ,  5F048BD04 ,  5F048BG12 ,  5F048BG13 ,  5F110AA01 ,  5F110CC02 ,  5F110DD05 ,  5F110DD13 ,  5F110EE01 ,  5F110EE02 ,  5F110EE03 ,  5F110EE04 ,  5F110EE06 ,  5F110EE11 ,  5F110EE14 ,  5F110EE31 ,  5F110EE42 ,  5F110EE44 ,  5F110EE45 ,  5F110EE48 ,  5F110FF01 ,  5F110FF02 ,  5F110FF04 ,  5F110FF09 ,  5F110FF35 ,  5F110GG02 ,  5F110HM15 ,  5F110NN02 ,  5F110NN65 ,  5F110NN66 ,  5F110QQ19 ,  5F140AA01 ,  5F140AC36 ,  5F140BA01 ,  5F140BA05 ,  5F140BA07 ,  5F140BD04 ,  5F140BD07 ,  5F140BD09 ,  5F140BD11 ,  5F140BD13 ,  5F140BF06 ,  5F140BF07 ,  5F140BF17 ,  5F140BF20 ,  5F140BF25 ,  5F140BF27 ,  5F140BF40 ,  5F140BF42 ,  5F140BG08 ,  5F140BG12 ,  5F140BG14 ,  5F140BG36 ,  5F140BG45 ,  5F140BH15 ,  5F140BK05 ,  5F140CB01 ,  5F140CB04 ,  5F140CC03 ,  5F140CC08 ,  5F140CE07

引用特許：

審査官引用 (4件)

• 絶縁ゲート電界効果トランジスタ及びその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2007-132364   出願人：ソニー株式会社
• 半導体装置及びその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2007-161030   出願人：ソニー株式会社
• 金属ゲート電極およびシリサイド接点を備えたFETゲート構造
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2005-001988   出願人：インターナショナル・ビジネス・マシーンズ・コーポレーション
• CMOSトランジスタゲートにおいてリセスされた仕事関数金属
  公報種別：公表公報   出願番号：特願2009-506646   出願人：インテル・コーポレーション