特許
J-GLOBAL ID：202003013075902407
欠陥識別方法、SiCエピタキシャルウェハの評価方法及びSiCエピタキシャルウェハの製造方法
発明者：
,
出願人/特許権者：
代理人 (3件)：
及川 周
, 荒 則彦
, 勝俣 智夫
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2018-215723
公開番号（公開出願番号）：特開2020-088011
出願日： 2018年11月16日
公開日（公表日）： 2020年06月04日
要約：
【課題】SiCエピタキシャルウェハの電気的特性を正確に測定するために、所定の欠陥を識別する欠陥識別方法。【解決手段】この欠陥識別方法は、三角形の欠陥を特定する第1工程と、ヒュージダウンフォールを有する欠陥を抽出する第2工程と、を有し、前記第2工程は、前記三角形の欠陥の3辺のそれぞれの基準面に対するコントラスト比を求めるコントラスト比決定工程と、前記基準面に対するコントラスト比が所定値以上大きい又は小さい特定部分をヒュージダウンフォールとして検出するヒュージダウンフォール検出工程と、を有する、欠陥識別方法。【選択図】図1
請求項（抜粋）：
SiCエピタキシャルウェハの表面の三角形の欠陥を特定する、第1工程と、
前記三角形の欠陥のうち、ヒュージダウンフォールを有する欠陥を抽出する、第2工程と、を有し、
前記第2工程は、
前記三角形の欠陥の3辺のそれぞれの基準面に対する第1コントラスト比、第2コントラスト比、及び第3コントラスト比を求める、コントラスト比決定工程と、
前記第1コントラスト比、前記第2コントラスト比、及び前記第3コントラスト比と比較して、前記基準面に対するコントラスト比が大きい又は小さい特定部分をヒュージダウンフォールとして検出するヒュージダウンフォール検出工程と、を有し、
前記特定部分は、
コントラスト比が、前記第1コントラスト比、前記第2コントラスト比、及び前記第3コントラスト比のうちの1より大きな値を示すいずれのコントラスト比よりも5%以上大きい、又は、前記第1コントラスト比、前記第2コントラスト比、及び前記第3コントラスト比のうちの1より小さい値を示すいずれのコントラスト比よりも5%以上小さい場合に、ヒュージダウンフォールとして検出される、欠陥識別方法。
IPC (1件)：
FI (1件)：
Fターム (9件)：
4M106AA01
, 4M106BA01
, 4M106BA20
, 4M106CB19
, 4M106DB07
, 4M106DB18
, 4M106DB21
, 4M106DD01
, 4M106DJ27
