特許
J-GLOBAL ID：201703014359450590

SiCエピタキシャルウェハ、SiCエピタキシャルウェハの製造装置、SiCエピタキシャルウェハの製造方法、および半導体装置

発明者：
浅水 啓州

浅水 啓州 について


出願人/特許権者：
ローム株式会社

ローム株式会社 について


代理人 (2件)： 三好 秀和 ,  寺山 啓進
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2015-182974
公開番号（公開出願番号）：特開2017-059670
出願日： 2015年09月16日
公開日（公表日）： 2017年03月23日
要約：
【課題】低オフ角SiC基板上SiCエピタキシャル成長において、膜厚均一性およびキャリア密度均一性に優れ、表面欠陥の少ない高品質なSiCエピタキシャルウェハ、SiCエピタキシャルウェハの製造装置、SiCエピタキシャルウェハの製造方法、および半導体装置を提供する。【解決手段】SiCエピタキシャルウェハ(1)は、4度未満のオフ角基板(2)と、4度未満のオフ角基板(2)上に配置されたSiCエピタキシャル成長層(3)とを備え、SiCエピタキシャル成長層は、Si化合物をSiの供給源とし、C化合物をCの供給源とし、キャリア密度均一性を10%未満、かつ欠陥密度が1個/cm2未満であり、Si化合物とC化合物のC/Si比は、0.7以上0.95以下の範囲を有する。【選択図】図16
請求項（抜粋）：
4度未満の低オフ角基板と、 前記基板上に配置されたSiCエピタキシャル成長層と を備え、前記SiCエピタキシャル成長層は、Si化合物をSiの供給源とし、C化合物をCの供給源とし、 キャリア密度均一性を10%未満、かつ欠陥密度が1個/cm2未満であり、前記Si化合物と前記C化合物のC/Si比は、0.7以上0.95以下の範囲を有することを特徴とするSiCエピタキシャルウェハ。
IPC (8件)：
H01L 21/205 ,  C30B 29/36 ,  C30B 25/20 ,  C23C 16/42 ,  H01L 29/872 ,  H01L 29/78 ,  H01L 29/12 ,  H01L 21/20
FI (9件)：
H01L21/205 ,  C30B29/36 A ,  C30B25/20 ,  C23C16/42 ,  H01L29/86 301D ,  H01L29/78 653A ,  H01L29/86 301E ,  H01L29/78 652T ,  H01L21/20
Fターム (87件)：
4G077AA03 ,  4G077AB01 ,  4G077BE08 ,  4G077DB04 ,  4G077DB07 ,  4G077DB21 ,  4G077EA02 ,  4G077EA05 ,  4G077EA06 ,  4G077EB01 ,  4G077EC09 ,  4G077ED06 ,  4G077EE06 ,  4G077EE10 ,  4G077EF03 ,  4G077FG12 ,  4G077FG13 ,  4G077GA01 ,  4G077GA02 ,  4G077HA06 ,  4G077HA12 ,  4G077TE03 ,  4G077TF04 ,  4G077TF05 ,  4G077TG06 ,  4G077TK13 ,  4K030AA03 ,  4K030AA04 ,  4K030AA06 ,  4K030AA09 ,  4K030AA17 ,  4K030AA18 ,  4K030AA20 ,  4K030AA24 ,  4K030BA37 ,  4K030BB01 ,  4K030CA04 ,  4K030CA12 ,  4K030EA08 ,  4K030FA10 ,  4K030GA06 ,  4K030JA04 ,  4K030JA09 ,  4K030JA10 ,  4K030KA02 ,  4K030LA12 ,  4K030LA15 ,  5F045AA03 ,  5F045AB06 ,  5F045AC01 ,  5F045AC02 ,  5F045AC07 ,  5F045AC13 ,  5F045AC15 ,  5F045AC16 ,  5F045AC19 ,  5F045AD18 ,  5F045AE23 ,  5F045AE25 ,  5F045AF02 ,  5F045AF04 ,  5F045AF07 ,  5F045AF09 ,  5F045AF13 ,  5F045BB04 ,  5F045CA01 ,  5F045CA05 ,  5F045DA52 ,  5F045DA53 ,  5F045DA67 ,  5F045DP13 ,  5F045DP19 ,  5F045DP20 ,  5F045DP27 ,  5F045DQ04 ,  5F045DQ06 ,  5F045EE12 ,  5F045EM10 ,  5F152LL03 ,  5F152LM08 ,  5F152MM02 ,  5F152MM04 ,  5F152MM07 ,  5F152MM18 ,  5F152NN05 ,  5F152NN27 ,  5F152NQ02
引用特許：
出願人引用 (4件)
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審査官引用 (4件)
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