特許
J-GLOBAL ID:202003013107181308
半導体装置の製造方法
発明者:
,
出願人/特許権者:
代理人 (1件):
速水 進治
公報種別:特許公報
出願番号(国際出願番号):特願2016-130843
公開番号(公開出願番号):特開2018-006541
特許番号:特許第6722527号
出願日: 2016年06月30日
公開日(公表日): 2018年01月11日
請求項(抜粋):
【請求項1】 回路形成面を有する半導体ウェハと、前記半導体ウェハの前記回路形成面側に貼り合わされた粘着性フィルムと、を備える構造体を準備する工程(A)と、
前記半導体ウェハの前記回路形成面側とは反対側の面をバックグラインドする工程(B)と、
前記粘着性フィルムに紫外線を照射した後に前記半導体ウェハから前記粘着性フィルムを除去する工程(C)と、
を少なくとも備える半導体装置の製造方法であって、
前記粘着性フィルムとして、
基材層と、凹凸吸収性樹脂層と、帯電防止層と、粘着性樹脂層と、をこの順番に備え、前記粘着性樹脂層が前記半導体ウェハの前記回路形成面側となるように用いる粘着性フィルムを使用し、
下記の方法で測定される、紫外線硬化後の前記粘着性樹脂層表面の飽和帯電圧V1が2.5kV以下である半導体装置の製造方法。
(方法)
前記粘着性樹脂層に対し、25°Cの環境下で高圧水銀ランプを用いて主波長365nmの紫外線を照射強度100mW/cm2で紫外線量1080mJ/cm2照射して前記粘着性樹脂層を光硬化させる。次いで、印加電圧10kV、試料と電極との距離20mm、25°C、50%RHの条件下で前記粘着性樹脂層の表面に電圧の印加を30秒おこない、JIS L1094に準じて前記粘着性樹脂層の表面の飽和帯電圧(V1)を算出する。
IPC (2件):
H01L 21/304 ( 200 6.01)
, C09J 201/00 ( 200 6.01)
FI (2件):
H01L 21/304 622 J
, C09J 201/00
引用特許: