特許
J-GLOBAL ID：202003013299459932
C/C-SiC複合材料部品の製造方法及びその製品
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (4件)：
木内 光春
, 大熊 考一
, 片桐 貞典
, 木内 加奈子
公報種別：公表公報
出願番号（国際出願番号）：特願2019-540328
公開番号（公開出願番号）：特表2020-508953
出願日： 2018年03月07日
公開日（公表日）： 2020年03月26日
要約：
【目的】 C/C-SiC複合材料部品の製造方法及びその製品を提供する。【解決手段】この方法は下記工程を含む。(a)溶媒蒸発法により炭素繊維/フェノール樹脂複合粉末を製造する。(b)所望の部品の三次元モデルに従って、炭素繊維複合粉末を3D印刷技術によって部品の初期ブランクに成形する。(c)初期ブランクに対して第1次高密度化処理を行いC/C多孔質体を得る。(d)前記C/C多孔質体を真空下で溶融シリコン化、高温シリコン除去、第2次高密度化処理を順次行い、最終的なC/C-SiC複合材料部品を得る。この方法によって、複雑な構造のC/C-SiC複合材料部品を成形することができ、生産周期が短く、コストが低く、かつ得られたC/C-SiC複合材料部品はシリコン残留量が低く、優れた性能を有する。【選択図】 図1
請求項（抜粋）：
下記工程を含むことを特徴とする、C/C-SiC複合材料部品の製造方法、
(a)溶媒蒸発法によりフェノール樹脂で均一に被覆された炭素繊維複合粉末を製造する工程、
(b)所望の部品の三次元モデルに従って、前記炭素繊維複合粉末を3D印刷技術によって前記所望の部品の初期ブランクに成形する工程、
(c)前記ブランクを順次第1次高密度化処理を繰り返し行い、密度0.7〜1.1g/cm3、開放気孔率30〜50%のC/C多孔質体を得る工程、
(d)前記C/C多孔質体を真空下で溶融シリコン化、シリコン除去、第2次高密度化処理を順次行い、所望のC/C-SiC複合材料部品を得る工程。
IPC (8件)：
C04B 35/83
, C04B 35/84
, C04B 35/628
, B28B 1/30
, C04B 41/85
, B29C 64/153
, B29C 64/268
, B33Y 10/00
C04B35/83
, C04B35/84
, C04B35/628 730
, B28B1/30
, C04B41/85 F
, B29C64/153
, B29C64/268
, B33Y10/00
4F213AA37
, 4F213AC04
, 4F213AD02
, 4F213AD16
, 4F213AD18
, 4F213AD20
, 4F213AG20
, 4F213WA25
, 4F213WB01
, 4F213WL03
, 4F213WL13
, 4F213WL15
, 4F213WL22
, 4F213WL55
, 4F213WW31
, 4G052DA05
, 4G052DA08
, 4G052DB12
, 4G052DC06
, 4G052DC09
