特許
J-GLOBAL ID:202003013566807112

基板処理方法および基板処理装置

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (1件): 特許業務法人あい特許事務所
公報種別:特許公報
出願番号(国際出願番号):特願2016-061909
公開番号(公開出願番号):特開2017-175062
特許番号:特許第6718714号
出願日: 2016年03月25日
公開日(公表日): 2017年09月28日
請求項(抜粋):
【請求項1】 基板保持手段に基板を保持させる基板保持工程と、 前記基板保持手段に保持されている前記基板の一方主面に、フッ酸溶液にオゾンが溶解したオゾン含有フッ酸溶液を供給するオゾン含有フッ酸溶液供給工程と、 前記オゾン含有フッ酸溶液供給工程の後に、前記基板の前記一方主面に洗浄ブラシを接触させることにより、当該一方主面を洗浄するブラシ洗浄工程と、 前記オゾン含有フッ酸溶液供給工程の後前記ブラシ洗浄工程の開始に先立って、前記基板の前記一方主面にオゾン水を供給するオゾン水供給工程とを含む、基板処理方法。
IPC (1件):
H01L 21/304 ( 200 6.01)
FI (4件):
H01L 21/304 643 A ,  H01L 21/304 644 A ,  H01L 21/304 647 Z ,  H01L 21/304 648 G
引用特許:
出願人引用 (5件)
  • 基板処理方法及び装置
    公報種別:公開公報   出願番号:特願2003-408214   出願人:株式会社荏原製作所
  • 半導体基板の洗浄方法
    公報種別:公開公報   出願番号:特願2002-009006   出願人:ワッカー・エヌエスシーイー株式会社
  • 半導体ウエハの洗浄方法
    公報種別:公開公報   出願番号:特願2000-397635   出願人:株式会社スーパーシリコン研究所
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審査官引用 (5件)
  • 基板処理方法及び装置
    公報種別:公開公報   出願番号:特願2003-408214   出願人:株式会社荏原製作所
  • 半導体基板の洗浄方法
    公報種別:公開公報   出願番号:特願2002-009006   出願人:ワッカー・エヌエスシーイー株式会社
  • 半導体ウエハの洗浄方法
    公報種別:公開公報   出願番号:特願2000-397635   出願人:株式会社スーパーシリコン研究所
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