特許
J-GLOBAL ID：200903029813120422
半導体基板の洗浄方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
五十嵐 清
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-088654
公開番号（公開出願番号）：特開2001-053050
出願日： 2000年03月28日
公開日（公表日）： 2001年02月23日
要約：
【要約】【課題】 半導体基板の清浄度と平坦度を共に向上させる。【解決手段】 仕上げ加工後の半導体基板にオゾン水を供給する。これにより、半導体基板の表面上の有機物を分解・除去すると共に半導体基板の表面に酸化膜を形成する。次に、半導体基板の表面をブラシスクラブ洗浄して大粒径のパーティクルを除去する。さらに、HF水溶液を半導体基板の表面に供給して上記酸化膜をエッチングして酸化膜中あるいは酸化膜上の金属系ゴミとパーティクルを除去する。そして、HF水溶液による洗浄工程の後に、空気によって半導体基板の表面が汚染される前に、半導体基板の表面に親水化用洗浄液を供給して半導体基板の表面に酸化膜を生成する。その後、半導体基板の表面を乾燥させて半導体基板の洗浄工程を終了する。
請求項（抜粋）：
純水にオゾンが含有されて成るオゾン水を半導体基板の表面に供給し、該オゾン水によって半導体基板の表面に付着している有機物を分解・除去すると共に半導体基板の表面に酸化膜を形成し、然る後に、HF水溶液を上記半導体基板の表面に供給し、該HF水溶液により上記酸化膜をエッチング除去して該酸化膜中あるいは酸化膜上の金属系ゴミとパーティクルを半導体基板の表面から取り除き、次に、半導体基板の表面が上記HF水溶液により覆われている状態で、親水化用洗浄液を半導体基板の表面に供給して半導体基板の表面に酸化膜を生成する親水化処理を施すことを特徴とした半導体基板の洗浄方法。
IPC (9件)：
H01L 21/304 648
, H01L 21/304 643
, H01L 21/304
, H01L 21/304 644
, H01L 21/304 647
, B08B 3/02
, B08B 3/08
, B08B 3/12
, B08B 7/04
H01L 21/304 648 H
, H01L 21/304 643 A
, H01L 21/304 643 D
, H01L 21/304 643 Z
, H01L 21/304 644 A
, H01L 21/304 647 Z
, B08B 3/02 B
, B08B 3/08 A
, B08B 3/12 A
, B08B 7/04 A
3B116AA03
, 3B116AB34
, 3B116BA02
, 3B116BA12
, 3B116BB21
, 3B116CC01
, 3B201AA03
, 3B201AB34
, 3B201BA02
, 3B201BA12
, 3B201BB21
, 3B201BB92
, 3B201BB95
, 3B201BB96
, 3B201CC01
