特許
J-GLOBAL ID：202003013579902017

サセプタ及び化学気相成長装置

発明者：
余 佳

余 佳 について

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石橋 直人

石橋 直人 について

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深田 啓介

深田 啓介 について

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梅田 喜一

梅田 喜一 について

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渥美 広範

渥美 広範 について


出願人/特許権者：
昭和電工株式会社

昭和電工株式会社 について


代理人 (3件)： 及川 周 ,  荒 則彦 ,  勝俣 智夫
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2018-167035
公開番号（公開出願番号）：特開2020-043122
出願日： 2018年09月06日
公開日（公表日）： 2020年03月19日
要約：
【課題】ウェハに成膜するエピタキシャル層のウェハ面内におけるキャリア濃度の均一性を高めることができるサセプタ及び化学気相成長装置を提供する。【解決手段】本発明の一態様に係るサセプタは、ウェハの主面上に、化学気相成長法によってエピタキシャル膜を成長させる化学気相成長装置に用いられるサセプタであって、基台と、前記基台の外周部に配置され、前記ウェハの外周部を支持する3個の突起部と、を有する。【選択図】図1
請求項（抜粋）：
ウェハの主面上に、化学気相成長法によってエピタキシャル膜を成長させる化学気相成長装置に用いられるサセプタであって、 基台と、 前記基台の外周部に配置され、前記ウェハの外周部を支持する3個の突起部と、を有する、サセプタ。
IPC (3件)：
H01L 21/683 ,  H01L 21/205 ,  C23C 16/458
FI (3件)：
H01L21/68 N ,  H01L21/205 ,  C23C16/458
Fターム (17件)：
4K030BA37 ,  4K030CA12 ,  4K030GA02 ,  5F045AA03 ,  5F045AB06 ,  5F045AD18 ,  5F045AF02 ,  5F045DP01 ,  5F045EK01 ,  5F045EM02 ,  5F131BA04 ,  5F131CA03 ,  5F131CA07 ,  5F131EA03 ,  5F131EB54 ,  5F131EB57 ,  5F131EB81
引用特許：
出願人引用 (5件)
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審査官引用 (5件)
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