特許
J-GLOBAL ID：201703016336485209

基板載置台及び気相成長装置

発明者：
徳永 裕樹

徳永 裕樹 について

, 
矢野 良樹

矢野 良樹 について

, 
池永 和正

池永 和正 について

, 
田渕 俊也

田渕 俊也 について


出願人/特許権者：
大陽日酸株式会社

大陽日酸株式会社 について


代理人 (3件)： 志賀 正武 ,  鈴木 三義 ,  伏見 俊介
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2015-202040
公開番号（公開出願番号）：特開2017-076652
出願日： 2015年10月13日
公開日（公表日）： 2017年04月20日
要約：
【課題】基板の中央部が基板載置台の表面に接触するのを防ぐことが可能な基板載置台を提供する。【解決手段】基板7上に化合物半導体薄膜を気相成長させる際に用いられ、基板7の底面7b側から基板7を加熱するプレート部2と、プレート部2の上面2aに設けられ、基板7の底面7bとプレート部2の上面2aとが離間した状態で基板7の底面7bの端部を支持する第1支持部3とを備える基板載置台1であって、プレート部2の上面2aから突出するように設けられるとともに、気相成長させる際に基板7の底面7bとプレート部2の上面2aとが離間した状態となるように基板7の中央部7cを支持可能に設けられた第2支持部5を有する、基板載置台1を選択する。【選択図】図1
請求項（抜粋）：
基板上に化合物半導体薄膜を気相成長させる際に用いられ、 前記基板の底面側から当該基板を加熱するプレート部と、 前記プレート部の上面に設けられ、前記基板の底面と前記プレート部の上面とが離間した状態で当該基板の底面の端部を支持する第1支持部と、を備える基板載置台であって、 前記プレート部の上面から突出するように設けられるとともに、気相成長させる際に前記基板の底面と前記プレート部の上面とが離間した状態となるように当該基板の中央部を支持可能に設けられた第2支持部を有する、基板載置台。
IPC (3件)：
H01L 21/205 ,  C23C 16/458 ,  H01L 21/683
FI (3件)：
H01L21/205 ,  C23C16/458 ,  H01L21/68 N
Fターム (47件)：
4K030AA11 ,  4K030AA13 ,  4K030AA17 ,  4K030AA18 ,  4K030BA38 ,  4K030CA04 ,  4K030CA12 ,  4K030EA06 ,  4K030FA10 ,  4K030GA06 ,  4K030KA23 ,  4K030KA46 ,  4K030LA14 ,  5F045AB14 ,  5F045AC07 ,  5F045AC12 ,  5F045AC15 ,  5F045AF09 ,  5F045CA10 ,  5F045DP15 ,  5F045DP27 ,  5F045DP28 ,  5F045EK07 ,  5F045EK22 ,  5F045EM02 ,  5F045EM03 ,  5F045EM06 ,  5F045EM09 ,  5F045EM10 ,  5F131AA02 ,  5F131AA22 ,  5F131BA04 ,  5F131CA03 ,  5F131CA06 ,  5F131CA07 ,  5F131DA33 ,  5F131DA42 ,  5F131EA04 ,  5F131EA24 ,  5F131EB54 ,  5F131EB55 ,  5F131EB56 ,  5F131EB67 ,  5F131EB78 ,  5F131EB81 ,  5F131FA14 ,  5F131FA32
引用特許：
審査官引用 (4件)
全件表示

前のページに戻る

TOP

BOTTOM