特許

J-GLOBAL ID：202003013964483106

セラミック基板およびその製造方法

発明者： 中島 広和 ,  阪口 浩平
出願人/特許権者： 日立金属株式会社
代理人 (1件)： 特許業務法人 ユニアス国際特許事務所
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願2016-062246
公開番号（公開出願番号）：特開2017-171560
特許番号：特許第6728859号
出願日： 2016年03月25日
公開日（公表日）： 2017年09月28日
請求項（抜粋）：

【請求項1】Al2O3とSrアノーサイトを含み、Al2O3換算で40〜50質量%のAl、SiO2換算で30〜40質量%のSi、SrCO3換算で10〜20質量%のSrを含有する第1セラミック層と、 Srアノーサイトとコーディエライトとを含み、前記第1セラミック層よりも比誘電率が小さい第2セラミック層とを備え、 前記第1セラミック層の熱膨張係数と前記第2セラミック層の熱膨張係数との差の絶対値が1×10-6/°C以下であるセラミック基板。

IPC (5件)：

C04B 35/117 ( 200 6.01) ,  H05K 1/03 ( 200 6.01) ,  H01L 23/13 ( 200 6.01) ,  H01B 3/12 ( 200 6.01) ,  B32B 18/00 ( 200 6.01)

FI (8件)：

C04B 35/117 ,  H05K 1/03 610 D ,  H01L 23/12 C ,  H01B 3/12 337 ,  H01B 3/12 326 ,  H01B 3/12 330 ,  H01B 3/12 336 ,  B32B 18/00 A

引用特許：

審査官引用 (2件)

• 基板およびこれを用いた回路基板
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2007-017857   出願人：京セラ株式会社
• 多層セラミック基板の製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2009-135473   出願人：サムソンエレクトロ-メカニックスカンパニーリミテッド.