特許
J-GLOBAL ID：200903031330064267
基板およびこれを用いた回路基板
発明者：
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出願人/特許権者：
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2007-017857
公開番号（公開出願番号）：特開2007-294862
出願日： 2007年01月29日
公開日（公表日）： 2007年11月08日
要約：
【課題】抗折強度が高く、X-Y方向の焼成収縮が少なく、かつ薄層の絶縁抵抗が高い基板を提供する。【解決手段】第1のガラスを含む第1の絶縁層と、第2のガラスを含む第2の絶縁層とを、積層し焼成してなる基板において、焼成後の前記第1の絶縁層が主結晶としてアスペクト比3以上の異方性結晶を含有し、かつ、前記第1のガラスは、Siを酸化物換算(以下全て酸化物換算)で10〜30質量%、MgおよびZnの少なくとも1種を合量で5〜30質量%、Bを10〜30質量%、(Alの質量%、M(MはSr、Baの少なくとも1種)の質量%)と表記した際に、点A(1、21)、点B(1、35)、点C(9、45)、点D(20、45)、点E(20、35)、点F(9、21)を結ぶ範囲内で含有し、かつ、前記第2のガラスのSi含有量が前記第1のガラスより多く、前記第2のガラスのB含有量が前記第1のガラスより少ないことを特徴とする基板。【選択図】図1
請求項（抜粋）：
第1のガラスを含むかまたは第1のガラスからなる第1の絶縁層と第2のガラスを含むかまたは第2のガラスからなる第2の絶縁層とを積層し焼成してなる基板であって、前記第1の絶縁層を焼成した第1の絶縁基板層と前記第2の絶縁層を焼成した第2の絶縁基板層とが積層一体化された基板において、
前記第1の絶縁基板層が主結晶相としてアスペクト比3以上の異方性結晶を含有し、かつ、前記第1のガラスは、SiをSiO2換算で10〜30質量%、MgおよびZnの少なくとも1種をそれぞれMgO換算およびZnO換算の合量で5〜30質量%、BをB2O3換算で10〜30質量%、AlおよびM(MはSr、Baの少なくとも1種)を(Al2O3換算の質量%、MO換算の質量%)と表記した際に、点A(1、21)、点B(1、35)、点C(9、45)、点D(20、45)、点E(20、35)、点F(9、21)を結ぶ範囲内で含有し、
かつ、前記第2のガラスのSiO2換算のSi含有量が前記第1のガラスのSiO2換算のSi含有量よりも1〜40質量%多いとともに、前記第2のガラスのB2O3換算のB含有量が3質量%以上であり、かつ、前記第1のガラスのB2O3換算のB含有量よりも5質量%以上少ないことを特徴とする基板。
IPC (1件)：
FI (1件)：
引用特許：
出願人引用 (9件)
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審査官引用 (9件)
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