特許
J-GLOBAL ID：202003014004327670

静電容量型トランスデューサ及び音響センサ

発明者：
笠井 隆

笠井 隆 について

, 
中河 佑将

中河 佑将 について


出願人/特許権者：
オムロン株式会社

オムロン株式会社 について


代理人 (7件)： 世良 和信 ,  川口 嘉之 ,  金井 廣泰 ,  関根 武彦 ,  中村 剛 ,  今堀 克彦 ,  矢澤 広伸
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願2016-047307
公開番号（公開出願番号）：特開2017-163409
特許番号：特許第6701825号
出願日： 2016年03月10日
公開日（公表日）： 2017年09月14日
請求項（抜粋）：
【請求項1】 表面に開口を有する基板と、 前記基板の開口に対向するように配設されたバックプレートと、 前記バックプレートとの間に空隙を介して該バックプレートに対向するように配設された振動電極膜と、 を備え、 前記振動電極膜の変形を該振動電極膜と前記バックプレートの間の静電容量の変化に変換する静電容量型トランスデューサにおいて、 前記振動電極膜に設けられた貫通孔である圧力解放孔と、 前記バックプレートと同一部材により該バックプレートと一体に設けられ前記振動電極膜の変形前の状態では前記圧力解放孔に侵入する凸状の部分と、 前記圧力解放孔と前記凸状の部分との隙間により形成される空気の流路である圧力解放流路と、をさらに備え、 前記凸状の部分は、該凸状の部分の先端側と、前記バックプレートにおける該凸状の部分の反対側とを連通する貫通孔を有することを特徴とする静電容量型トランスデューサ。
IPC (1件)：
H04R 19/04 ( 200 6.01)
FI (1件)：
H04R 19/04
引用特許：
審査官引用 (4件)
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