特許
J-GLOBAL ID：202003014414886269
マルチ荷電粒子ビームのブランキング装置及びマルチ荷電粒子ビーム照射装置
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (3件)：
池上 徹真
, 須藤 章
, 松山 允之
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願2016-108726
公開番号（公開出願番号）：特開2017-216338
特許番号：特許第6709109号
出願日： 2016年05月31日
公開日（公表日）： 2017年12月07日
請求項（抜粋）：
【請求項1】 複数の第1の開口部がアレイ状に形成され、前記複数の第1の開口部全体が含まれる領域に荷電粒子ビームの照射を受け、前記複数の第1の開口部を前記荷電粒子ビームの一部がそれぞれ通過することにより、マルチビームを形成する第1の基板と、
前記マルチビームのうちのそれぞれ対応ビームが通過する貫通した複数の第2の開口部がアレイ状に形成された第2の基板と、
前記第2の基板上であって、前記複数の第2の開口部のうちのそれぞれ対応する第2の開口部の近傍に配置されると共に、それぞれ当該対応する第2の開口部に隣り合う別の第2の開口部には直接露出しないように配置された、第1と第2の電位が切り替え可能に印加される複数の制御電極と、
前記第2の基板上であって、それぞれ対応する第2の開口部を挟んで前記複数の制御電極のうちの対応する制御電極と対向する位置に配置された、前記第2の電位が印加される複数の対向電極と、
前記第1の基板と前記複数の制御電極との間に配置されたシールド膜と、
前記第2の基板内部に配置され、前記複数の制御電極のうちのそれぞれ対応する制御電極に前記第1と第2の電位を切り替え可能に印加する複数の制御回路と、
を備え、
前記第1の基板と前記シールド膜と前記複数の制御電極との順で連続して配置されることを特徴とするマルチ荷電粒子ビームのブランキング装置。
IPC (4件)：
H01L 21/027 ( 200 6.01)
, H01J 37/305 ( 200 6.01)
, H01J 37/147 ( 200 6.01)
, G03F 7/20 ( 200 6.01)
H01L 21/30 541 B
, H01J 37/305 B
, H01J 37/147 C
, G03F 7/20 504
