特許
J-GLOBAL ID：202003015069106472

電子素子及びその製造方法並びに磁気抵抗素子

発明者：
薬師寺 啓

薬師寺 啓 について

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杉原 敦

杉原 敦 について

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湯浅 新治

湯浅 新治 について


出願人/特許権者：
国立研究開発法人産業技術総合研究所

国立研究開発法人産業技術総合研究所 について


公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2018-167801
公開番号（公開出願番号）：特開2020-043165
出願日： 2018年09月07日
公開日（公表日）： 2020年03月19日
要約：
【課題】Si(001)単結晶基板上に電子素子層を設ける際のB2構造下地層の表面が、より平坦化された、磁気抵抗素子等の電子素子及びその製造方法を提供する。【解決手段】 基板と、下地層と、電子素子層とが、順に積層された積層構造を有する電子素子であって、基板はシリコン(001)単結晶基板であり、下地層は、化学量論的組成よりAlを過剰に含むXAl(Xは、Ni及びCoから選択される1以上の金属)からなるB2型構造の単結晶の下地層である。【選択図】図1A
請求項（抜粋）：
基板と、下地層と、電子素子層とが、順に積層された積層構造を有する電子素子であって、 前記基板は、シリコン(001)単結晶基板であり、 前記下地層は、化学量論的組成よりAlを過剰に含むXAl(Xは、Ni及びCoから選択される1以上の金属)からなるB2型構造の単結晶の下地層であることを、 特徴とする、電子素子。
IPC (2件)：
H01L 43/10 ,  H01L 43/08
FI (2件)：
H01L43/10 ,  H01L43/08 Z
Fターム (27件)：
5F092AA05 ,  5F092AC08 ,  5F092AC12 ,  5F092BB04 ,  5F092BB05 ,  5F092BB10 ,  5F092BB17 ,  5F092BB22 ,  5F092BB23 ,  5F092BB24 ,  5F092BB31 ,  5F092BB34 ,  5F092BB36 ,  5F092BB38 ,  5F092BB42 ,  5F092BB43 ,  5F092BB44 ,  5F092BB53 ,  5F092BC12 ,  5F092BC13 ,  5F092BC18 ,  5F092BC22 ,  5F092BE02 ,  5F092BE13 ,  5F092BE21 ,  5F092CA02 ,  5F092CA25
引用特許：
出願人引用 (3件) 審査官引用 (3件)

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