特許

J-GLOBAL ID：201603006403505357

磁気抵抗素子および磁気メモリ

発明者： 大嶺 俊平 ,  大坊 忠臣 ,  加藤 侑志 ,  長谷 直基 ,  伊藤 順一
出願人/特許権者： 株式会社東芝
代理人 (3件)： 勝沼 宏仁 ,  関根 毅 ,  鈴木 順生
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2014-234949
公開番号（公開出願番号）：特開2016-100415
出願日： 2014年11月19日
公開日（公表日）： 2016年05月30日
要約：

【課題】記憶層を薄膜化しても、下地層に含まれる元素の拡散の影響を低減することのできる磁気抵抗素子および磁気メモリを提供する。【解決手段】本実施形態による磁気抵抗素子は、NiおよびCoのうちの少なくとも1つの元素と、Alとを含み、CsCl構造を有する第1層と、垂直磁気異方性を有する磁性体を含む第1磁性層と、前記第1層と前記第1磁性層との間に設けられた第1非磁性層と、前記第1層と前記第1非磁性層との間に設けられ、MnおよびGaを含むとともに垂直磁気異方性を有する磁性体を含む第2磁性層と、を備えている。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

NiおよびCoのうちの少なくとも1つの元素と、Alとを含み、CsCl構造を有する第1層と、 垂直磁気異方性を有する磁性体を含む第1磁性層と、 前記第1層と前記第1磁性層との間に設けられた第1非磁性層と、 前記第1層と前記第1非磁性層との間に設けられ、MnおよびGaを含むとともに垂直磁気異方性を有する磁性体を含む第2磁性層と、 を備えた磁気抵抗素子。

IPC (8件)：

H01L 43/08 ,  H01L 43/10 ,  H01L 29/82 ,  H01L 21/824 ,  H01L 27/105 ,  H01F 10/16 ,  H01F 10/32 ,  H01F 10/30

FI (7件)：

H01L43/08 M ,  H01L29/82 Z ,  H01L43/08 Z ,  H01L27/10 447 ,  H01F10/16 ,  H01F10/32 ,  H01F10/30

Fターム (44件)：

4M119BB01 ,  4M119CC05 ,  4M119DD03 ,  4M119DD05 ,  4M119DD06 ,  4M119DD09 ,  4M119DD17 ,  4M119DD33 ,  4M119DD45 ,  4M119EE22 ,  4M119EE27 ,  4M119FF05 ,  4M119FF15 ,  4M119FF17 ,  5E049AA04 ,  5E049AA09 ,  5E049BA30 ,  5E049CB02 ,  5E049DB12 ,  5E049DB14 ,  5E049GC01 ,  5F092AB08 ,  5F092AC12 ,  5F092AD23 ,  5F092AD25 ,  5F092BB10 ,  5F092BB17 ,  5F092BB22 ,  5F092BB23 ,  5F092BB24 ,  5F092BB34 ,  5F092BB35 ,  5F092BB36 ,  5F092BB42 ,  5F092BC03 ,  5F092BC04 ,  5F092BC07 ,  5F092BC09 ,  5F092BC12 ,  5F092BC13 ,  5F092BC14 ,  5F092BE13 ,  5F092BE14 ,  5F092BE21

引用特許：

審査官引用 (6件)

• 磁気抵抗素子および磁気メモリ
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2011-068868   出願人：株式会社東芝, 国立大学法人東北大学原子分子材料科学高等研究機構, 独立行政法人産業技術総合研究所
• 熱アシスト磁気記録媒体及び磁気記憶装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2011-085992   出願人：昭和電工株式会社
• 磁気記録媒体及び磁気記録再生装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2012-029693   出願人：昭和電工株式会社
• 面内磁気記録媒体及び磁気記憶装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平11-073767   出願人：株式会社日立製作所
• 磁気抵抗素子および磁気メモリ
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2012-064344   出願人：株式会社東芝, 国立大学法人東北大学
• 磁気記録媒体および磁気記憶装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2005-168899   出願人：富士通株式会社