特許
J-GLOBAL ID：202003015610452753
半導体装置及び半導体装置の製造方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (3件)：
伊東 忠重
, 伊東 忠彦
, 加藤 隆夫
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願2016-173413
公開番号（公開出願番号）：特開2018-041784
特許番号：特許第6729207号
出願日： 2016年09月06日
公開日（公表日）： 2018年03月15日
請求項（抜粋）：
【請求項1】 基板の上に、窒化物半導体により形成された電子走行層と、
前記電子走行層の上に、窒化物半導体により形成された電子供給層と、
前記電子供給層の上に形成されたソース電極及びドレイン電極と、
前記電子供給層の上に形成された開口部を有する絶縁膜と、
前記絶縁膜の前記開口部に形成されたファインゲート領域と、前記開口部の周囲の前記絶縁膜の上に形成されたオーバーハング領域と、を有するゲート電極と、
前記ゲート電極の前記オーバーハング領域の前記ドレイン電極側の端部の直下において、前記電子供給層の一部に形成されたn型不純物元素がドープされた不純物ドープ領域と、
を有し、
前記ゲート電極は、前記電子供給層に直接接触することを特徴とする半導体装置。
IPC (3件)：
H01L 21/338 ( 200 6.01)
, H01L 29/778 ( 200 6.01)
, H01L 29/812 ( 200 6.01)
H01L 29/80 H
, H01L 29/80 F
出願人引用 (5件)
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審査官引用 (5件)
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