特許
J-GLOBAL ID：202003015655117777
多層半導体構造の層における厚さ変動を測定する方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (5件)：
永井 浩之
, 中村 行孝
, 佐藤 泰和
, 朝倉 悟
, 反町 洋
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願2018-516704
特許番号：特許第6743138号
出願日： 2016年10月03日
請求項（抜粋）：
【請求項1】 多層半導体構造の第一層における厚さ変動を測定する方法であり、
- 画像取得装置で、前記多層半導体構造の表面の少なくとも一区域の画像を取得し、前記画像が、前記多層半導体構造の前記表面の前記区域上に準単色光束を反射させることにより得られ、
- 前記取得画像を処理し、前記表面の前記区域により反射された前記準単色光束の強度変動から、前記第一層の前記厚さ変動のマップを決定し、前記処理が、前記画像の各ピクセルの強度を、前記取得画像のピクセルの強度と前記第一層の局所的厚さとの間の関係を限定する、予め決められた校正曲線と比較することを含んでなり、前記校正曲線が、前記第一層と異なった多層半導体構造の第二層の特定厚さに対して決定され、
前記準単色光束の波長が、前記第二層に関して反射率の感度の最小値に対応する様に選択され、
ある層に関する前記反射率の前記感度が、
(i)考慮される層が所与の厚さの差を有する2つの多層構造の反射率間の差と
(ii)前記所与の厚さの差との間の比に等しく、
他の層の厚さが、両方の多層構造で同等である、前記方法であって、
前記方法が、さらに、
- 特に楕円偏光法により、前記多層半導体構造の前記表面の前記少なくとも一区域における前記第二層の厚さを測定すること、
- 前記測定された厚さが、前記校正曲線で考慮された前記第二層の厚さと異なる場合、前記厚さ変動の前記マップに補正曲線を適用し、前記補正曲線が、前記第二層の前記測定された厚さに対して、前記第一層の厚さと、前記第一層の前記厚さ変動の前記マップに適用される補正ファクターとの間の関係を限定し、前記第一層の厚さ変動の補正されたマップを決定することを特徴とする、方法。
IPC (1件)：
FI (1件)：
引用特許：
出願人引用 (6件)
全件表示
審査官引用 (6件)
全件表示
前のページに戻る
