特許
J-GLOBAL ID:202003015726556904

撮像装置、製造方法

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (2件): 西川 孝 ,  稲本 義雄
公報種別:特許公報
出願番号(国際出願番号):特願2017-544444
特許番号:特許第6743035号
出願日: 2016年09月21日
請求項(抜粋):
【請求項1】 赤外域に受光感度を持つ化合物半導体からなる受光素子が複数配列された受光素子アレイと、 前記受光素子からの信号を処理する信号処理回路と、 前記受光素子の受光面側に形成されている上部電極と、 前記上部電極と対をなす下部電極と を備え、 前記受光素子アレイと前記信号処理回路は、所定の材料の膜で接合され、 前記受光素子アレイの終端部分以外の受光素子は、 前記受光素子を貫通しているスルービアを介して、前記上部電極と前記信号処理回路は接続され、 前記下部電極は、前記受光素子アレイに配列された受光素子で共通した電極とされ、 前記受光素子アレイの終端部分の受光素子は、 前記受光素子の下部に設けられた電極まで貫通しているスルービアを介して、前記下部電極と前記電極が接続されている 撮像装置。
IPC (3件):
H01L 27/146 ( 200 6.01) ,  H04N 5/33 ( 200 6.01) ,  H04N 5/335 ( 201 1.01)
FI (4件):
H01L 27/146 D ,  H01L 27/146 F ,  H04N 5/33 ,  H04N 5/335
引用特許:
出願人引用 (6件)
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審査官引用 (4件)
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