特許
J-GLOBAL ID：201203010744664396

赤外線撮像装置

発明者：
川上 真一郎

川上 真一郎 について

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松宮 康夫

松宮 康夫 について

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西野 弘師

西野 弘師 について


出願人/特許権者：
富士通株式会社

富士通株式会社 について


代理人 (1件)： 國分 孝悦
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2010-277168
公開番号（公開出願番号）：特開2012-129247
出願日： 2010年12月13日
公開日（公表日）： 2012年07月05日
要約：
【課題】画素毎のバンプが増加してもフリップチップボンディングを適切に行うことができる赤外線撮像装置を提供する。【解決手段】複数の画素が配列した赤外線イメージセンサ100と、赤外線イメージセンサ100から信号を読み出す読み出し回路300と、赤外線イメージセンサ100と読み出し回路300との間に設けられた中継部材200と、が設けられている。複数の画素の各々には、互いに相違する波長の赤外線を吸収する複数の吸収層106、110と、複数の吸収層にバイアスを印加するバイアスバンプ159と、複数の吸収層毎に設けられた出力バンプ157、158と、が設けられている。出力バンプは、読み出し回路に設けられた入力バンプ302、303に接続され、バイアスバンプは、読み出し回路に設けられたバイアス供給バンプ304に、中継部材に設けられた中継配線207を介して接続されている。【選択図】図2
請求項（抜粋）：
複数の画素が配列した赤外線イメージセンサと、 前記赤外線イメージセンサから信号を読み出す読み出し回路と、 前記赤外線イメージセンサと前記読み出し回路との間に設けられた中継部材と、 を有し、 前記複数の画素の各々は、 互いに相違する波長の赤外線を吸収する複数の吸収層と、 前記複数の吸収層にバイアスを印加するバイアスバンプと、 前記複数の吸収層毎に設けられた出力バンプと、 を有し、 前記出力バンプは、前記読み出し回路に設けられた入力バンプに接続され、 前記バイアスバンプは、前記読み出し回路に設けられたバイアス供給バンプに、前記中継部材に設けられた中継配線を介して接続されていることを特徴とする赤外線撮像装置。
IPC (6件)：
H01L 27/146 ,  H04N 5/33 ,  H01L 27/144 ,  G01J 1/42 ,  G01J 1/02 ,  H01L 31/026
FI (7件)：
H01L27/14 F ,  H04N5/33 ,  H01L27/14 K ,  G01J1/42 B ,  G01J1/02 B ,  G01J1/02 Q ,  H01L31/08 L
Fターム (35件)：
2G065AA11 ,  2G065AB02 ,  2G065BA02 ,  2G065BA34 ,  2G065BC02 ,  2G065BE08 ,  2G065DA18 ,  4M118AB01 ,  4M118BA19 ,  4M118CA02 ,  4M118CA14 ,  4M118CA32 ,  4M118CB01 ,  4M118CB14 ,  4M118EA01 ,  4M118EA14 ,  4M118HA31 ,  5C024AX06 ,  5C024CX41 ,  5C024EX25 ,  5F088AA11 ,  5F088AB07 ,  5F088AB09 ,  5F088BA18 ,  5F088BB03 ,  5F088CB04 ,  5F088CB14 ,  5F088DA05 ,  5F088DA20 ,  5F088EA04 ,  5F088EA08 ,  5F088EA13 ,  5F088GA05 ,  5F088KA08 ,  5F088LA01
引用特許：
審査官引用 (5件)
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