特許

J-GLOBAL ID：202003016451867625

厚さが均一な埋め込み誘電体層を有する構造を作成するためのプロセス

発明者： カロル デービッド ,  アンネ-ソフィー コッチ
出願人/特許権者： ソイテック
代理人 (1件)： 特許業務法人 谷・阿部特許事務所
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願2016-066013
公開番号（公開出願番号）：特開2016-192548
特許番号：特許第6725286号
出願日： 2016年03月29日
公開日（公表日）： 2016年11月10日
請求項（抜粋）：

【請求項1】 有用半導体層(3’)と、誘電体層(2’)と、キャリア基板(4)とを連続して備える最終構造(5)を作成するためのプロセスであって、該プロセスは、 上部半導体層(3)と、前記誘電体層(2)と、前記キャリア基板(4)とを含む中間構造(1)を提供するステップと、 前記最終構造(5)を形成するために前記中間構造に仕上げるステップであって、決定された溶解プロファイルに従って前記誘電体層(2)の厚さを不均一に変更する処理を含み、前記決定された溶解プロファイルは、前記変更する処理の適用前後の前記誘電体層(2,2’)の厚さプロファイルの測定を含み、該仕上げるステップと を具え、 前記プロセスは、前記中間構造(1)の前記誘電体層(2)が、前記決定された溶解プロファイルに対して相補的な厚さプロファイルを有し、前記相補的な厚さプロファイルは、前記仕上げるステップの前記決定された溶解プロファイルの処理によって生成された前記誘電体層(2’)の厚さの不均一性を相補的に調整するために、前記厚さプロファイルが測定された前記決定された溶解プロファイルに対して相補的な誘電体層(2)を有する前記中間構造(1)を提供することを特徴とするプロセス。

IPC (3件)：

H01L 21/02 ( 200 6.01) ,  H01L 27/12 ( 200 6.01) ,  H01L 21/324 ( 200 6.01)

FI (3件)：

H01L 27/12 B ,  H01L 27/12 E ,  H01L 21/324 X

引用特許：

審査官引用 (2件)

• 貼り合わせSOIウェーハの製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2014-046098   出願人：信越半導体株式会社
• 精密な酸化物の溶解
  公報種別：公表公報   出願番号：特願2010-534554   出願人：エス.オー.アイ.テックシリコンオンインシュレーターテクノロジーズ