特許
J-GLOBAL ID：201503013607461323

貼り合わせSOIウェーハの製造方法

発明者：
阿賀 浩司

阿賀 浩司 について

, 
小林 徳弘

小林 徳弘 について


出願人/特許権者：
信越半導体株式会社

信越半導体株式会社 について


代理人 (1件)： 好宮 幹夫
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2014-046098
公開番号（公開出願番号）：特開2015-170796
出願日： 2014年03月10日
公開日（公表日）： 2015年09月28日
要約：
【課題】SOI層剥離後に行う還元性熱処理によって発生する埋め込み酸化膜厚の面内分布のバラツキを抑制することができる貼り合わせSOIウェーハの製造方法を提供する。【解決手段】貼り合わせSOIウェーハを製造する方法において、シリコン酸化膜を、バッチ式熱処理炉を使用して、少なくとも昇温中での熱酸化と降温中での熱酸化のいずれか一方を含む熱酸化処理を行うことにより、剥離後の貼り合わせSOIウェーハの埋め込み酸化膜が同心円形状の酸化膜厚分布となるように形成し、さらに、ボンドウェーハの剥離後の貼り合わせSOIウェーハに還元性熱処理を行うことにより、埋め込み酸化膜の膜厚レンジを還元性熱処理前の膜厚レンジよりも小さくすることを特徴とする貼り合わせSOIウェーハの製造方法。【選択図】図1
請求項（抜粋）：
シリコン単結晶からなるボンドウェーハとベースウェーハの少なくとも一方のウェーハの表面にシリコン酸化膜を熱酸化処理により形成し、該ボンドウェーハの表面に水素イオン、希ガスイオンの少なくとも一種類のガスイオンをイオン注入してイオン注入層を形成し、該ボンドウェーハのイオン注入した表面と前記ベースウェーハの表面とを、前記シリコン酸化膜を介して貼り合わせた後、前記イオン注入層で前記ボンドウェーハを剥離することにより貼り合わせSOIウェーハを製造する方法において、 前記シリコン酸化膜を、バッチ式熱処理炉を使用して、少なくとも昇温中での熱酸化と降温中での熱酸化のいずれか一方を含む前記熱酸化処理を行うことにより、剥離後の前記貼り合わせSOIウェーハの埋め込み酸化膜が同心円形状の酸化膜厚分布となるように形成し、 さらに、前記ボンドウェーハの剥離後の前記貼り合わせSOIウェーハに還元性熱処理を行うことにより、前記埋め込み酸化膜の膜厚レンジを前記還元性熱処理前の膜厚レンジよりも小さくすることを特徴とする貼り合わせSOIウェーハの製造方法。
IPC (2件)：
H01L 21/02 ,  H01L 27/12
FI (1件)：
H01L27/12 B
引用特許：
審査官引用 (4件)
全件表示

前のページに戻る

TOP

BOTTOM