特許

J-GLOBAL ID：202003016681668648

半導体装置の製造方法

発明者： 浅見 良信
出願人/特許権者： 株式会社半導体エネルギー研究所
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願2016-059925
公開番号（公開出願番号）：特開2016-189460
特許番号：特許第6736321号
出願日： 2016年03月24日
公開日（公表日）： 2016年11月04日
請求項（抜粋）：

【請求項1】 第1の絶縁層を形成し、 前記第1の絶縁層上に、下から順に、第1の酸化物絶縁体、酸化物半導体、第1の導電膜と積層された積層物を島状に形成し、 前記第1の絶縁層および前記第1の導電膜上に第1の絶縁膜を形成し、 前記第1の絶縁膜に平坦化処理を行い、第2の絶縁層を形成し、 マスクを用いて前記第2の絶縁層の一部をエッチングし、 前記マスクおよびエッチングされた前記第2の絶縁層を用いて、前記第1の導電膜の一部をエッチングすることにより、ソース電極層およびドレイン電極層を形成し、 前記第2の絶縁層および前記酸化物半導体上に第2の酸化物絶縁体膜を形成し、 前記第2の酸化物絶縁体膜上に第2の絶縁膜を形成し、 前記第2の絶縁膜上に第2の導電膜を形成し、 前記第2の導電膜、前記第2の絶縁膜、および前記第2の酸化物絶縁体膜に化学的機械的研磨処理を行うことにより、第2の酸化物絶縁体、ゲート絶縁層およびゲート電極層を形成し、 前記第2の絶縁層、前記第2の酸化物絶縁体、および前記ゲート絶縁層を、前記ソース電極層および前記ドレイン電極層が露出するまでエッチングし、 前記ゲート電極層、前記ソース電極層および前記ドレイン電極層をマスクとして、前記酸化物半導体にイオン添加処理をすること、を特徴とする半導体装置の製造方法。

IPC (25件)：

H01L 21/336 ( 200 6.01) ,  H01L 29/786 ( 200 6.01) ,  H01L 21/8234 ( 200 6.01) ,  H01L 27/06 ( 200 6.01) ,  H01L 27/088 ( 200 6.01) ,  H01L 21/8238 ( 200 6.01) ,  H01L 27/092 ( 200 6.01) ,  H01L 21/28 ( 200 6.01) ,  H01L 29/423 ( 200 6.01) ,  H01L 29/49 ( 200 6.01) ,  H01L 21/8242 ( 200 6.01) ,  H01L 27/108 ( 200 6.01) ,  H01L 27/115 ( 201 7.01) ,  H01L 29/788 ( 200 6.01) ,  H01L 29/792 ( 200 6.01) ,  H01L 21/8239 ( 200 6.01) ,  H01L 27/105 ( 200 6.01) ,  H01L 27/146 ( 200 6.01) ,  H01L 21/363 ( 200 6.01) ,  H01L 21/365 ( 200 6.01) ,  H01L 21/31 ( 200 6.01) ,  G09F 9/30 ( 200 6.01) ,  G09F 9/00 ( 200 6.01) ,  H01L 51/50 ( 200 6.01) ,  H05B 33/14 ( 200 6.01)

FI (33件)：

H01L 29/78 616 A ,  H01L 29/78 618 B ,  H01L 29/78 618 E ,  H01L 29/78 619 A ,  H01L 29/78 627 A ,  H01L 29/78 616 J ,  H01L 27/06 102 A ,  H01L 27/088 331 E ,  H01L 27/092 G ,  H01L 27/092 K ,  H01L 27/088 E ,  H01L 27/088 H ,  H01L 27/088 B ,  H01L 29/78 616 V ,  H01L 21/28 301 B ,  H01L 29/58 G ,  H01L 27/108 321 ,  H01L 27/108 621 Z ,  H01L 27/108 671 C ,  H01L 27/108 671 Z ,  H01L 27/115 ,  H01L 29/78 371 ,  H01L 27/105 441 ,  H01L 27/146 A ,  H01L 21/363 ,  H01L 21/365 ,  H01L 21/31 B ,  H01L 21/31 C ,  G09F 9/30 338 ,  G09F 9/00 338 ,  H05B 33/14 A ,  H05B 33/14 Z ,  H01L 27/146 E

引用特許：

審査官引用 (2件)

• 半導体装置およびその作製方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2014-109494   出願人：株式会社半導体エネルギー研究所
• 半導体装置およびその作製方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2012-011690   出願人：株式会社半導体エネルギー研究所