特許
J-GLOBAL ID：201503042270123268

半導体装置およびその作製方法

発明者：
須澤 英臣

須澤 英臣 について


出願人/特許権者：
株式会社半導体エネルギー研究所

株式会社半導体エネルギー研究所 について


公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2014-109494
公開番号（公開出願番号）：特開2015-015458
出願日： 2014年05月27日
公開日（公表日）： 2015年01月22日
要約：
【課題】LSIやCPUやメモリなどの半導体集積回路に用いるトランジスタのチャネル長Lを短くすることによって微細なトランジスタを実現し、回路の動作速度を高速化し、さらには消費電力の低減を図ることを課題の一とする。【解決手段】チャネル形成領域を含む酸化物半導体層を挟むように該酸化物半導体層とは組成の異なる酸化物層を上下に設け、さらに、チャネル形成領域を含む酸化物半導体層においてチャネル形成領域を挟むように左右に低抵抗領域を設ける。低抵抗領域は、チャネル形成領域以外の領域に金属膜または酸化金属膜を接して形成し、金属膜または酸化金属膜に含まれる金属元素、たとえばアルミニウムを酸化物半導体層の一部に拡散させることで形成する。【選択図】図1
請求項（抜粋）：
半導体基板上に第1の酸化物層と、 前記第1の酸化物層上に酸化物半導体層と、 前記酸化物半導体層上に第2の酸化物層と、 前記第2の酸化物層上に絶縁層と、 前記絶縁層上にゲート電極層と、を有し、 前記酸化物半導体層は、前記ゲート電極層と重なるチャネル形成領域と、該チャネル形成領域よりも低抵抗な領域である低抵抗領域とを有し、 前記チャネル形成領域と前記低抵抗領域は組成が異なることを特徴とする半導体装置。
IPC (5件)：
H01L 29/786 ,  H01L 21/336 ,  H01L 21/824 ,  H01L 27/108 ,  H01L 27/105
FI (8件)：
H01L29/78 616V ,  H01L29/78 618B ,  H01L29/78 618E ,  H01L29/78 626C ,  H01L29/78 619A ,  H01L29/78 616M ,  H01L27/10 321 ,  H01L27/10 441
Fターム (84件)：
5F083AD21 ,  5F083AD49 ,  5F083AD69 ,  5F083GA06 ,  5F083GA10 ,  5F083GA11 ,  5F083GA21 ,  5F083GA25 ,  5F083GA27 ,  5F083JA02 ,  5F083JA03 ,  5F083JA05 ,  5F083JA12 ,  5F083JA36 ,  5F083JA37 ,  5F083JA38 ,  5F083JA39 ,  5F083JA40 ,  5F083JA53 ,  5F083JA56 ,  5F083JA60 ,  5F083LA00 ,  5F083NA01 ,  5F083PR01 ,  5F083PR21 ,  5F083PR22 ,  5F083PR33 ,  5F110AA01 ,  5F110AA04 ,  5F110AA07 ,  5F110AA09 ,  5F110AA16 ,  5F110BB08 ,  5F110CC02 ,  5F110CC10 ,  5F110DD01 ,  5F110DD05 ,  5F110DD12 ,  5F110DD13 ,  5F110DD17 ,  5F110EE30 ,  5F110EE43 ,  5F110EE44 ,  5F110EE45 ,  5F110FF01 ,  5F110FF02 ,  5F110FF03 ,  5F110FF04 ,  5F110FF27 ,  5F110FF28 ,  5F110FF29 ,  5F110FF30 ,  5F110GG01 ,  5F110GG17 ,  5F110GG19 ,  5F110GG22 ,  5F110GG35 ,  5F110GG42 ,  5F110GG43 ,  5F110GG44 ,  5F110GG58 ,  5F110HJ01 ,  5F110HJ16 ,  5F110HL02 ,  5F110HL03 ,  5F110HL04 ,  5F110HL06 ,  5F110HL07 ,  5F110HL11 ,  5F110HL12 ,  5F110NN03 ,  5F110NN22 ,  5F110NN23 ,  5F110NN24 ,  5F110NN33 ,  5F110NN34 ,  5F110NN37 ,  5F110NN40 ,  5F110NN72 ,  5F110NN74 ,  5F110QQ01 ,  5F110QQ09 ,  5F110QQ11 ,  5F110QQ19
引用特許：
出願人引用 (5件)
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審査官引用 (5件)
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