特許

J-GLOBAL ID：202003016804402036

ペロブスカイト量子ドット発光デバイスおよびその製造方法

発明者： 城戸 淳二 ,  千葉 貴之 ,  江部 日南子 ,  佐藤 純 ,  高橋 佳人
出願人/特許権者： 国立大学法人山形大学
代理人 (2件)： 木下 茂 ,  澤田 優子
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2019-062462
公開番号（公開出願番号）：特開2020-161442
出願日： 2019年03月28日
公開日（公表日）： 2020年10月01日
要約：

【課題】本発明は、長鎖アルキル配位子の少なくとも一部を、長鎖アルキル配位子よりも炭素数の小さい短鎖アルキル配位子で置換したペロブスカイト量子ドットであり、凝集を抑え、分散安定性を向上させ、薄膜形成と同時に架橋して不溶化するペロブスカイト量子ドットを用いた発光デバイスを提供することを課題とする。【解決手段】両末端に反応基を有する短鎖架橋性配位子で少なくとも一部が被覆されたペロブスカイト量子ドットからなる層を含む、ペロブスカイト量子ドット発光デバイス。【選択図】なし

請求項（抜粋）：

両末端に反応基を有する短鎖架橋性配位子で少なくとも一部が被覆されたペロブスカイト量子ドットからなる層を含む、ペロブスカイト量子ドット発光デバイス。

IPC (7件)：

H05B 33/20 ,  C09K 11/66 ,  C09K 11/08 ,  H05B 33/10 ,  H05B 33/14 ,  B82Y 20/00 ,  B82Y 40/00

FI (7件)：

H05B33/20 ,  C09K11/66 ,  C09K11/08 G ,  H05B33/10 ,  H05B33/14 Z ,  B82Y20/00 ,  B82Y40/00

Fターム (12件)：

3K107AA06 ,  3K107AA07 ,  3K107CC12 ,  3K107DD56 ,  3K107DD57 ,  3K107FF15 ,  3K107FF18 ,  3K107GG00 ,  3K107GG28 ,  4H001CC13 ,  4H001XA82 ,  4H001XB72

引用特許：

審査官引用 (2件)

• ペロブスカイト発光素子用の発光層及びその製造方法とこれを利用したペロブスカイト発光素子
  公報種別：公表公報   出願番号：特願2017-524027   出願人：ポステックアカデミー-インダストリーファウンデーション
• 半導体微粒子組成物、該組成物を用いてなる塗工液、インキ組成物、及びインクジェットインキ、塗工物、印刷物、波長変換フィルム、カラーフィルター、発光素子
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2018-175678   出願人：東洋インキSCホールディングス株式会社