特許
J-GLOBAL ID：202003016860192940
半導体装置、及びその駆動方法
発明者：
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出願人/特許権者：
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願2013-226185
公開番号（公開出願番号）：特開2014-112827
特許番号：特許第6667193号
出願日： 2013年10月31日
公開日（公表日）： 2014年06月19日
請求項（抜粋）：
【請求項1】 第1の電位及び第2の電位の一方を保持する第1のノードと、第1の電位及び第2の電位の他方を保持する第2のノードと、を有する第1の記憶回路部と、
ゲートが第1の制御信号が与えられる配線に電気的に接続され、ソース及びドレインの一方が前記第1のノードに電気的に接続され、ソース及びドレインの他方が第3のノードに電気的に接続された第1のトランジスタと、一方の電極が前記第3のノードに電気的に接続され、他方の電極が前記第2の電位が与えられる配線に電気的に接続された第1の容量素子と、ゲートが前記第3のノードに電気的に接続され、ソース及びドレインの一方が前記第2の電位が与えられる配線に電気的に接続された第2のトランジスタと、ゲートが第2の制御信号が与えられる配線に電気的に接続され、ソース及びドレインの一方が前記第2のトランジスタのソース及びドレインの他方に電気的に接続され、ソース及びドレインの他方が前記第2のノードに電気的に接続された第3のトランジスタと、を有する第2の記憶回路部と、を有し、
前記第1のトランジスタは、酸化物半導体を有する半導体膜、を有し、
動作停止期間後の動作再開移行期間において、前記第3のトランジスタをオンにした状態で、前記第1の記憶回路部への電源電圧の供給を再開する半導体装置。
IPC (3件)：
H03K 3/356 ( 200 6.01)
, G11C 14/00 ( 200 6.01)
, H03K 3/037 ( 200 6.01)
H03K 3/356 Z
, G11C 14/00 200
, H03K 3/037 Z
