特許
J-GLOBAL ID：202003017409413513
磁気抵抗効果素子、磁気メモリ、磁化反転方法、及び、スピン流磁化反転素子
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (4件)：
棚井 澄雄
, 荒 則彦
, 飯田 雅人
, 荻野 彰広
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願2017-552731
特許番号：特許第6621839号
出願日： 2016年11月25日
請求項（抜粋）：
【請求項1】 磁化の向きが固定された第1強磁性金属層と、磁化の向きが可変な第2強磁性金属層と、第1強磁性金属層及び第2強磁性金属層に挟持された非磁性層とを有する磁気抵抗効果素子と、
該磁気抵抗効果素子の積層方向に対して交差する方向に延在し、前記第2強磁性金属層に接合するスピン軌道トルク配線と、を備え、
前記スピン軌道トルク配線は、前記第2強磁性金属層の側壁に接合する側壁接合部を有し、
前記磁気抵抗効果素子と前記スピン軌道トルク配線とが接合する部分において、前記磁気抵抗効果素子に流れる電流と前記スピン軌道トルク配線に流れる電流が合流し、または、分配される磁気抵抗効果素子。
IPC (4件)：
H01L 29/82 ( 200 6.01)
, H01L 43/08 ( 200 6.01)
, H01L 21/8239 ( 200 6.01)
, H01L 27/105 ( 200 6.01)
H01L 29/82 Z
, H01L 43/08 Z
, H01L 27/105 447
