特許
J-GLOBAL ID:202003019261926403
プラズマ処理装置
発明者:
,
,
出願人/特許権者:
代理人 (3件):
長谷川 芳樹
, 黒木 義樹
, 柏岡 潤二
公報種別:特許公報
出願番号(国際出願番号):特願2016-132685
公開番号(公開出願番号):特開2017-201611
特許番号:特許第6670697号
出願日: 2016年07月04日
公開日(公表日): 2017年11月09日
請求項(抜粋):
【請求項1】 チャンバを提供するチャンバ本体であり、接地電位に接続された該チャンバ本体と、
下部電極を有し、前記チャンバ内に設けられた載置台と、
前記下部電極に電気的に接続された高周波電源部であり、前記下部電極に供給されるバイアス用の出力波を生成する、該高周波電源部と、
を備え、
前記高周波電源部は、基本周波数の高周波の正の電圧成分を低減させた前記出力波を発生するよう構成されており、
前記高周波電源部は、
前記基本周波数のn倍又は2n倍の互いに異なる周波数を有する複数の高周波をそれぞれ発生する複数の高周波電源であり、nは1以上の整数である、該複数の高周波電源と、
前記複数の高周波を合成して前記出力波を生成する合成器と、
を有する、
プラズマ処理装置。
IPC (2件):
H01L 21/3065 ( 200 6.01)
, H05H 1/46 ( 200 6.01)
FI (3件):
H01L 21/302 101 B
, H05H 1/46 R
, H05H 1/46 M
引用特許:
出願人引用 (6件)
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プラズマ処理装置
公報種別:公開公報
出願番号:特願2000-076321
出願人:株式会社日立製作所
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特開平4-148534
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半導体製造装置
公報種別:公開公報
出願番号:特願2004-357072
出願人:株式会社日立ハイテクノロジーズ
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審査官引用 (6件)
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プラズマ処理装置
公報種別:公開公報
出願番号:特願2000-076321
出願人:株式会社日立製作所
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特開平4-148534
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半導体製造装置
公報種別:公開公報
出願番号:特願2004-357072
出願人:株式会社日立ハイテクノロジーズ
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