特許
J-GLOBAL ID：202003019377564258

ナノロッドの形成方法及び半導体素子の製造方法

発明者：
谷坂 真吾

谷坂 真吾 について


出願人/特許権者：
日亜化学工業株式会社

日亜化学工業株式会社 について


代理人 (2件)： 鮫島 睦 ,  言上 惠一
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願2016-187032
公開番号（公開出願番号）：特開2018-026514
特許番号：特許第6724687号
出願日： 2016年09月26日
公開日（公表日）： 2018年02月15日
請求項（抜粋）：
【請求項1】 反応ガスを用いたドライエッチングにより半導体のナノロッドを形成する方法であって、 チャンバー内において、ドライエッチング時における前記反応ガスとの化学反応によるエッチングレートが前記半導体より低い材料からなるマスク用材料と、前記半導体を含む基体とをチャンバー内にセットする準備ステップと、 エッチングにより飛散したマスク用材料が所定のドット密度及び所定のドット寸法で前記半導体の表面に付着するようにチャンバー内の圧力を所定の範囲に設定することにより、それぞれ前記マスク用材料を含む複数のドットマスクを前記半導体の表面に形成し、前記ドットマスクから露出した半導体をドライエッチングにより除去するドライエッチングステップと、 前記ドットマスクを除去するマスク除去ステップと、を含み、 前記マスク用材料は、イットリア又はジルコニアであるナノロッドの形成方法。
IPC (5件)：
H01L 21/3065 ( 200 6.01) ,  H01S 5/343 ( 200 6.01) ,  H01L 33/32 ( 201 0.01) ,  H01L 33/22 ( 201 0.01) ,  H01L 33/36 ( 201 0.01)
FI (5件)：
H01L 21/302 105 A ,  H01S 5/343 610 ,  H01L 33/32 ZNM ,  H01L 33/22 ,  H01L 33/36
引用特許：
出願人引用 (10件)
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審査官引用 (10件)
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