特許
J-GLOBAL ID：202003020053917040
ウエハのプローブおよび検査を可能にするシリコンフォトニクス構造
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
特許業務法人深見特許事務所
公報種別：公表公報
出願番号（国際出願番号）：特願2019-554900
公開番号（公開出願番号）：特表2020-516932
出願日： 2018年03月12日
公開日（公表日）： 2020年06月11日
要約：
本明細書の実施形態は、格子カプラ(220)を用いて、フォトニックチップ(200)内の光学素子(205、225)を検査するまたは位置合わせするための技術を説明する。一実施形態において、フォトニックチップ(200)は、フォトニックチップを外部の光ファイバケーブル(920)に光学的に結合するためのエッジカプラ(205)および格子カプラ(220)を含むことができる。エッジカプラ(205)は、フォトニックチップの側面または縁部に配置されてもよく、格子カプラ(220)は、フォトニックチップの上部または側面に配置されてもよい。製造時に、エッジカプラ(205)にはアクセスできない。検査装置(805)は、エッジカプラ(205)を用いてフォトニックチップを検査する代わりに、格子カプラ(220)とスプリッタ(215)とを用いて、フォトニックチップ内の光学素子(例えば、変調器または検出器)と格子カプラ(220)に光学的に結合された検査プローブ(505)との間に検査用光信号を転送する。
請求項（抜粋）：
フォトニック半導体チップであって、
第1導波路の第1端に結合されたエッジカプラを備え、前記エッジカプラは、前記フォトニック半導体チップの側面に沿って第1光信号を転送するように構成され、前記エッジカプラは、前記第1光信号が前記エッジカプラエッジカプラを通って伝播するときにモードサイズを変更するように構成され、
(i)前記第1導波路の第2端、(ii)第2導波路の第1端および(iii)第3導波路の第1端に結合されたスプリッタを備え、前記スプリッタは、前記第1導波路、前記第2導波路および前記第3導波路のいずれかから第1光信号を受信し、前記第1光信号の第1減衰部分および第2減衰部分を前記第1導波路、前記第2導波路および前記第3導波路の残りの2つの導波路に転送するように構成され、
前記第2導波路の第2端に結合された格子カプラを備え、前記格子カプラは、前記フォトニック半導体チップの前記側面に垂直な上面に沿って第2光信号を転送するように構成され、
前記第3導波路の第2端に結合された光学素子を備える、フォトニック半導体チップ。
IPC (3件)：
G02B 6/12
, G02B 6/124
, G02B 6/122
G02B6/12 301
, G02B6/124
, G02B6/122 311
2H147AB02
, 2H147AB05
, 2H147AB24
, 2H147BB02
, 2H147BB03
, 2H147BC05
, 2H147BE13
, 2H147BG04
, 2H147CB01
, 2H147CB05
, 2H147DA08
, 2H147EA13C
, 2H147FC07
