特許
J-GLOBAL ID：202003020346644120
高分子錯体及びその製造方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
特許業務法人特許事務所サイクス
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願2017-504980
特許番号：特許第6666009号
出願日： 2016年02月26日
請求項（抜粋）：
【請求項1】下記一般式(10)で示される繰り返し単位を有し、かつ250°C以上の温度で発光する高分子錯体。
一般式(10)中、
Ar11、Ar12及びAr13は、独立に、置換若しくは無置換アリール基、置換若しくは無置換ヘテロアリール基、又は置換若しくは無置換アラルキル基を示し、
M1は、Euイオン、Tbイオン又はEuイオン及びTbイオンであり、
LGは、前記M1で示される希土類元素イオンに配位する多座配位子であるジケト化合物であり、m及びn2は、1以上の任意の整数であり、
M1(LG)m ・・の・・で示される末端側は、他の繰り返し単位中のホスフィンオキシド基と結合をし、
Ar11及びAr13の一方又は両方は、無置換であるか、又はそれぞれ少なくとも1個のカルボキシル基を有し、下記一般式(11)及び(12)で示される構造を有し、n1及びn3は、1以上の任意の整数であり、
一般式(10)中のM1(LG)m・・・O=Pの・・・は、M1とO=Pの間の結合を示し、-COO-・・・M1(LG)n2の・・・は、-COO-とM1の間の結合を示し、
一般式(11)中の-COO-・・・M1(LG)n1の・・・は、COO-とM1の間の結合を示し、
一般式(12)中の-COO-・・・M1(LG)n 3の・・・は、COO-とM1の間の結合を示し、
一般式(10)〜(12)中のM1(LG)n1〜3の・・で示される末端側は、他の繰り返し単位中のカルボキシル基との結合を示す。
IPC (3件)：
C07F 9/53 ( 200 6.01)
, C07F 5/00 ( 200 6.01)
, C09K 11/06 ( 200 6.01)
C07F 9/53 CSP
, C07F 5/00 D
, C09K 11/06
