特許
J-GLOBAL ID：202003020440927135

半導体装置

発明者：
小野 昇太郎

小野 昇太郎 について

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菅原 秀人

菅原 秀人 について

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大田 浩史

大田 浩史 について

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一條 尚生

一條 尚生 について

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山下 浩明

山下 浩明 について


出願人/特許権者：
株式会社東芝

株式会社東芝 について

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東芝デバイス&ストレージ株式会社

東芝デバイス&ストレージ株式会社 について


代理人 (5件)： 日向寺 雅彦 ,  小崎 純一 ,  市川 浩 ,  白井 達哲 ,  内田 敬人
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2018-172371
公開番号（公開出願番号）：特開2020-047623
出願日： 2018年09月14日
公開日（公表日）： 2020年03月26日
要約：
【課題】ノイズを低減できる半導体装置を提供する。【解決手段】実施形態に係る半導体装置は、第1電極、第1導電形の第1半導体領域、第1導電形の不純物濃度を有する第1導電形の第2半導体領域、第2導電形の第3半導体領域、第1導電形の第4半導体領域、第1導電形の第5半導体領域、第2導電形の第6半導体領域、第1導電形の第7半導体領域、ゲート電極、及び第2電極を有する。第2半導体領域は、第1半導体領域の一部の上に設けられ、第1半導体領域よりも低い第1導電形の不純物濃度を有する。第3半導体領域は、第1半導体領域の別の一部の上に設けられている。第4半導体領域は、第1半導体領域と第3半導体領域との間の少なくとも一部に設けられている。第4半導体領域は、第1半導体領域よりも低く、且つ第2半導体領域よりも高い第1導電形の不純物濃度を有する。第5半導体領域は、第1半導体領域と第4半導体領域との間に設けられ、第4半導体領域よりも低い第1導電形の不純物濃度を有する。【選択図】図1
請求項（抜粋）：
第1電極と、 前記第1電極の上に設けられ、前記第1電極と電気的に接続された第1導電形の第1半導体領域と、 前記第1半導体領域の一部の上に設けられ、前記第1半導体領域よりも低い第1導電形の不純物濃度を有する第1導電形の第2半導体領域と、 前記第1半導体領域の別の一部の上に設けられ、前記第1電極から前記第1半導体領域に向かう第1方向に垂直な第2方向において前記第2半導体領域の少なくとも一部と並ぶ第2導電形の第3半導体領域と、 前記第1半導体領域と前記第3半導体領域との間の少なくとも一部に設けられ、前記第1半導体領域よりも低く、且つ前記第2半導体領域よりも高い第1導電形の不純物濃度を有する第1導電形の第4半導体領域と、 前記第1半導体領域と前記第4半導体領域との間に設けられ、前記第4半導体領域よりも低い第1導電形の不純物濃度を有する第1導電形の第5半導体領域と、 前記第3半導体領域の上に設けられ、前記第3半導体領域よりも高い第2導電形の不純物濃度を有する第2導電形の第6半導体領域と、 前記第6半導体領域の上に選択的に設けられた第1導電形の第7半導体領域と、 前記第2半導体領域、前記第6半導体領域、及び前記第7半導体領域とゲート絶縁層を介して対向するゲート電極と、 前記第6半導体領域及び前記第7半導体領域の上に設けられ、前記第6半導体領域及び前記第7半導体領域と電気的に接続された第2電極と、 を備えた半導体装置。
IPC (6件)：
H01L 29/78 ,  H01L 29/12 ,  H01L 29/06 ,  H01L 21/336 ,  H01L 29/861 ,  H01L 29/868
FI (11件)：
H01L29/78 652H ,  H01L29/78 652T ,  H01L29/06 301D ,  H01L29/06 301V ,  H01L29/78 652G ,  H01L29/78 658H ,  H01L29/78 657D ,  H01L29/91 D ,  H01L29/91 J ,  H01L29/78 658E ,  H01L29/78 658A
引用特許：
出願人引用 (3件) 審査官引用 (3件)

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