特許
J-GLOBAL ID：202003020521996441

半導体デバイス

発明者：
藤井 佳詞

藤井 佳詞 について

, 
中村 真也

中村 真也 について


出願人/特許権者：
株式会社アルバック

株式会社アルバック について


代理人 (1件)： 特許業務法人青莪
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願2016-155395
公開番号（公開出願番号）：特開2018-026381
特許番号：特許第6748512号
出願日： 2016年08月08日
公開日（公表日）： 2018年02月15日
請求項（抜粋）：
【請求項1】 エッチングストップ層と被エッチング層との積層構造を有する半導体デバイスであって、 前記エッチングストップ層は、Bを含む酸化アルミニウム膜であることを特徴とする半導体デバイス。
IPC (2件)：
H01L 21/3065 ( 200 6.01) ,  H01L 21/316 ( 200 6.01)
FI (3件)：
H01L 21/302 103 ,  H01L 21/302 301 M ,  H01L 21/316 Y
引用特許：
出願人引用 (4件)
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審査官引用 (3件)
  • 特開昭62-265724
  • 半導体装置の製造方法
    公報種別：公開公報   出願番号：特願2014-027498   出願人：東京エレクトロン株式会社
  • PVD被膜形成方法
    公報種別：公表公報   出願番号：特願2010-510742   出願人：サンドビックインテレクチュアルプロパティーアクティエボラーグ

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