特許
J-GLOBAL ID：202003020959788299

コアレス基板の製造方法

発明者：
大村 友希

大村 友希 について

, 
阿部 智行

阿部 智行 について


出願人/特許権者：
住友ベークライト株式会社

住友ベークライト株式会社 について


代理人 (1件)： 速水 進治
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2018-230413
公開番号（公開出願番号）：特開2020-092243
出願日： 2018年12月07日
公開日（公表日）： 2020年06月11日
要約：
【課題】絶縁特性に優れるコアレス基板を提供する。【解決手段】コアレス基板100の製造方法は、絶縁基板101の少なくとも一方の面に接して第一の金属箔103が設けられた犠牲基板を準備する工程;第一の金属箔103上に第一の導体パターン105を形成する工程;第一の導体パターン105が設けられた犠牲基板上に、第二の金属箔109が設けられた第一の絶縁層107を、第二の金属箔109を外側にして形成する工程;第二の金属箔109をパターニングして第二の導体パターン113を形成する工程;犠牲基板と第一の金属箔103との間で剥離する工程;ならびに、剥離する工程の後、第一の絶縁層107上の第一の金属箔103を除去する工程を含み、犠牲基板において、JIS B0601:2001に従って測定される第一の金属箔103の第一の絶縁層107側の表面の最大山高さRpが0.20μm以上0.55μm以下である。【選択図】図1
請求項（抜粋）：
絶縁基板の少なくとも一方の面に接して、第一の金属箔が設けられた犠牲基板を準備する工程と、 前記第一の金属箔上に、第一の導体パターンを形成する工程と、 前記第一の導体パターンが設けられた前記犠牲基板上に、第二の金属箔が設けられた第一の絶縁層を、前記第二の金属箔を外側にして形成する工程と、 前記第二の金属箔をパターニングして第二の導体パターンを形成する工程と、 前記犠牲基板と前記第一の金属箔との間で剥離する工程と、 前記剥離する工程の後、前記第一の絶縁層上の前記第一の金属箔を除去する工程と、 を含み、 前記犠牲基板において、JIS B0601:2001に従って測定される前記第一の金属箔の前記第一の絶縁層側の表面の最大山高さRpが0.20μm以上0.55μm以下である、コアレス基板の製造方法。
IPC (3件)：
H05K 3/46 ,  H05K 3/38 ,  H01L 23/12
FI (3件)：
H05K3/46 B ,  H05K3/38 B ,  H01L23/12 N
Fターム (36件)：
5E316AA22 ,  5E316AA43 ,  5E316CC04 ,  5E316CC08 ,  5E316CC09 ,  5E316CC13 ,  5E316CC32 ,  5E316CC33 ,  5E316CC37 ,  5E316DD23 ,  5E316DD24 ,  5E316DD33 ,  5E316DD47 ,  5E316EE02 ,  5E316FF04 ,  5E316FF07 ,  5E316FF08 ,  5E316FF10 ,  5E316FF15 ,  5E316GG15 ,  5E316GG17 ,  5E316GG22 ,  5E316GG28 ,  5E316HH08 ,  5E343AA02 ,  5E343AA15 ,  5E343AA16 ,  5E343AA17 ,  5E343BB24 ,  5E343BB34 ,  5E343BB44 ,  5E343BB71 ,  5E343DD33 ,  5E343DD43 ,  5E343FF16 ,  5E343GG14
引用特許：
出願人引用 (2件) 審査官引用 (2件)

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