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J-GLOBAL ID：202102210403979091   整理番号：21A0154895

Wキャッピング層を用いた多層グラフェンの直接析出に及ぼすNi触媒の結晶化の影響【JST・京大機械翻訳】

Effect of crystallization of Ni catalyst on direct precipitation of multilayer graphene using W capping layer

著者 (7件)： Yamada Jumpei (Department of Materials Science and Engineering, Meijo University, Nagoya 468-8502, Japan) ,  Ueda Yuki (Department of Materials Science and Engineering, Meijo University, Nagoya 468-8502, Japan) ,  Maruyama Takahiro (Department of Applied Chemistry, Meijo University, Nagoya 468-8502, Japan) ,  Fujikawa Seiji (National Institute for Quantum and Radiological Science and Technology (QST), Hyogo 679-5148, Japan) ,  Sasaki Takuo (National Institute for Quantum and Radiological Science and Technology (QST), Hyogo 679-5148, Japan) ,  Takahasi Masamitu (National Institute for Quantum and Radiological Science and Technology (QST), Hyogo 679-5148, Japan) ,  Naritsuka Shigeya (Department of Materials Science and Engineering, Meijo University, Nagoya 468-8502, Japan)
資料名： Journal of Crystal Growth  (Journal of Crystal Growth)
巻： 555  ページ： Null  発行年： 2021年 
JST資料番号： B0942A  ISSN： 0022-0248  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： オランダ (NLD)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 近年,グラフェン成長技術が大いに進行し,金属-触媒CVDを用いて,ミリメートルサイズの単結晶でグラフェンを成長させることが可能である。しかし,移動プロセスは,グラフェンを大きく劣化させることができない。Wキャッピング層を用いたグラフェンの直接析出法を提案した。この方法は,移動プロセスを必要とするだけでなく,皺の導入は,グラフェン析出での冷却速度を最適化することによって抑制される。非晶質炭素の厚さ,アニーリング温度,冷却速度およびNi触媒の結晶度のような成長条件を系統的に変化させ,Wキャップ層を用いた析出法の機構を研究した。条件の最適化によって,D/G比が0.1以下の皺のない多層グラフェンをサファイア基板上に直接得た。Copyright 2021 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： *結晶化 ,  最適化 ,  単結晶 ,  *ニッケル ,  結晶度 ,  冷却速度 ,  *グラフェン
準シソーラス用語： アニーリング温度 ,  *キャップ層 ,  サファイア基板 ,  アモルファスカーボン ,  *多層グラフェン , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (4件)： A1.成長モデル ,  A1.再結晶 ,  A_3 固相エピタキシー ,  B1 ナノ材料

分類 (1件)： 半導体薄膜  (BK14040E)

タイトルに関連する用語 (6件)： キャッピング層 ,  多層グラフェン ,  析出 ,  Ni ,  触媒 ,  結晶化