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J-GLOBAL ID：202102211337049890   整理番号：21A0894851

商用鋳造工場で製造された2.3kV,5A4H-SiC TiとNi JBS整流器:インプラント横方向ストラグルの影響【JST・京大機械翻訳】

2.3-kV, 5-A 4H-SiC Ti and Ni JBS Rectifiers manufactured in Commercial Foundry: Impact of Implant Lateral Straggle

著者 (3件)： Agarwal Aditi (North Carolina State University,Department of Electrical and Computer Engineering,Raleigh,NC,USA) ,  Han Kijeong (North Carolina State University,Department of Electrical and Computer Engineering,Raleigh,NC,USA) ,  Baliga B. Jayant (North Carolina State University,Department of Electrical and Computer Engineering,Raleigh,NC,USA)
資料名： IEEE Conference Proceedings  (IEEE Conference Proceedings)
巻： 2020  号： WiPDA Asia  ページ： 1-6  発行年： 2020年 
JST資料番号： W2441A  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 本論文は,6インチの市販鋳物で製造された2.3kVの5-A4H-SiC接合障壁制御Schottky(JBS)整流器の特性を報告する。JBS整流器の2タイプ(NiとTi Schottky接触金属)の作製に成功した。NiとTi JBS整流器の電気的性能を1500Cまでの温度で比較した。Ti素子のオン状態電圧降下(@5A)は,温度の増加と共に1.4から1.8Vに増加し,一方,Niデバイスに対するそれは2.0から2.3Vに増加し,JBSダイオードに必要なSiC P-N接合の値より十分に低い値を維持した。Ni JBSダイオードの漏れ電流は1500Cまでも2nA@500V以下であった。対照的に,100nA@500Vの許容レベルへの漏れ電流の増加が,その低い障壁高さのため150°CでTi JBSダイオードで観察された。分析モデリングは,P+イオン-インプラントの横方向ストラグルが,測定したオン状態電圧降下と逆漏れ特性を決定する際に重要な役割を果たすことを示した。側方インプラント斜台の効果を確認するためにシミュレーションを行った。シミュレーションは,横方向インプラントストラグルがオン抵抗を増加させ,JBS整流器の漏れ電流を減少させるが,膝電圧には影響しないことを示した。本論文の実験結果は,2.3kVブロッキング電圧を有する4H-SiC JBS整流器が,優れたオン状態電圧降下と1500Cまでの漏れ電流を有するNiまたはTi Schottky接触のいずれかを用いて製造できることを示した。Copyright 2021 The Institute of Electrical and Electronics Engineers, Inc. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： *整流器 ,  接合 ,  ダイオード ,  電圧 ,  *ニッケル ,  *炭化ケイ素 ,  漏れ電流 ,  ブロッキング ,  鋳物 ,  *鋳造工場 ,  電圧降下 ,  オン抵抗
準シソーラス用語： *4H-SiC ,  オン状態 ,  障壁高さ , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (1件)： 図形・画像処理一般  (JE04010I)

タイトルに関連する用語 (6件)： 鋳造工場 ,  Ti ,  Ni ,  整流器 ,  インプラント ,  横方向