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J-GLOBAL ID：202102211755961602   整理番号：21A0050822

GaAs基板上に分子ビームエピタクシーで成長させたInAsSbエピ層のバンドギャップエネルギー決定【JST・京大機械翻訳】

Bandgap energy determination of InAsSb epilayers grown by molecular beam epitaxy on GaAs substrates

著者 (10件)： K.Murawski (INSTITUTE OF APPLIED PHYSICS, MILITARY UNIVERSITY OF TECHNOLOGY, 2 KALISKIEGO ST., 00-908, WARSAW, POLAND) ,  E .Gomo?ka (INSTITUTE OF APPLIED PHYSICS, MILITARY UNIVERSITY OF TECHNOLOGY, 2 KALISKIEGO ST., 00-908, WARSAW, POLAND) ,  M.Kopytko (INSTITUTE OF APPLIED PHYSICS, MILITARY UNIVERSITY OF TECHNOLOGY, 2 KALISKIEGO ST., 00-908, WARSAW, POLAND) ,  K.Grodecki (INSTITUTE OF APPLIED PHYSICS, MILITARY UNIVERSITY OF TECHNOLOGY, 2 KALISKIEGO ST., 00-908, WARSAW, POLAND) ,  K.Michalczewski (VIGO SYSTEM S.A., 129/133 POZNANSKA ST., 05-850, O?AROW MAZOWIECKI, POLAND) ,  Kubiszyn (VIGO SYSTEM S.A., 129/133 POZNANSKA ST., 05-850, O?AROW MAZOWIECKI, POLAND) ,  W.Gawron (VIGO SYSTEM S.A., 129/133 POZNANSKA ST., 05-850, O?AROW MAZOWIECKI, POLAND) ,  P.Martyniuk (INSTITUTE OF APPLIED PHYSICS, MILITARY UNIVERSITY OF TECHNOLOGY, 2 KALISKIEGO ST., 00-908, WARSAW, POLAND) ,  A.Rogalski (INSTITUTE OF APPLIED PHYSICS, MILITARY UNIVERSITY OF TECHNOLOGY, 2 KALISKIEGO ST., 00-908, WARSAW, POLAND) ,  J.Piotrowski (VIGO SYSTEM S.A., 129/133 POZNANSKA ST., 05-850, O?AROW MAZOWIECKI, POLAND)
資料名： Progress in Natural Science: Materials International  (Progress in Natural Science: Materials International)
巻： 29  号： 4  ページ： 472-476  発行年： 2020年 
JST資料番号： W0407A  ISSN： 1002-0071  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： 中国 (CHN)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： InAsSb三元合金は,中波長のHgCdTeの代替,ならびに長波長赤外応用として考えられる。そのエネルギーバンドギャップは,Sb組成に対して非線形性を示し,従って,その値の正しい決定は,オプトエレクトロニックデバイスの効果的な設計とシミュレーションに必要である。WiederとClawsonによって提供されたInAsSbエネルギーバンドギャップに関する通常用いられる式は,高温におけるエネルギーバンドギャップ値を過大評価した。本論文では,著者らの実験室および公表文献で得られた実験データに基づく2つの修正経験的関係を提示した。両者とも広い範囲のSbモル組成と温度に対して正しい。エネルギーギャップの非線形性を適切な湾曲パラメータで記述した。格子不整合GaAs基板上に成長した試料について,著者らの実験で集めたデータは,C=0.72eVの湾曲因子に良く適合した。室温で到達できる最小バンドギャップエネルギーはSbモル分率x=0.63で約73meVである。比較において,格子整合GaSb基板上に成長した試料についての文献で収集した低温でのバンドギャップは,著者らの実験での測定値より小さく,C=0.9eVの放物線と良く適合した。Data from Wanfang. Translated by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： エネルギーギャップ ,  高温 ,  低温 ,  *アンチモン ,  三元合金 ,  アンチモン化ガリウム ,  *MBE成長 ,  テルル化カドミウム水銀 ,  *バンドギャップ ,  格子不整合 ,  格子整合
準シソーラス用語： *バンドギャップエネルギー ,  *エピタキシャル層 ,  光電子デバイス ,  *GaAs基板 , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (1件)： 信号理論  (ND02020G)

タイトルに関連する用語 (6件)： GaAs基板 ,  分子ビームエピタクシー ,  成長 ,  InAsSb ,  エピ層 ,  バンドギャップエネルギー