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J-GLOBAL ID：202102212117575227   整理番号：21A2981073

ナノ秒スイッチング特性とロバスト過電圧能力を持つP-N接合/AlGaN/GaN HEMTの1.2kV/25A【JST・京大機械翻訳】

1.2 kV/25 A Normally off P-N Junction/AlGaN/GaN HEMTs With Nanosecond Switching Characteristics and Robust Overvoltage Capability

著者 (10件)： Zhou Feng (School of Electronic Science and Engineering, Collaborative Innovation Center of Advanced Microstructures, Nanjing University, Nanjing, China) ,  Xu Weizong (School of Electronic Science and Engineering, Collaborative Innovation Center of Advanced Microstructures, Nanjing University, Nanjing, China) ,  Ren Fangfang (School of Electronic Science and Engineering, Collaborative Innovation Center of Advanced Microstructures, Nanjing University, Nanjing, China) ,  Xia Yuanyang (CorEnergy Semiconductor Company Ltd., Suzhou, China) ,  Wu Leke (CorEnergy Semiconductor Company Ltd., Suzhou, China) ,  Zhu Tinggang (CorEnergy Semiconductor Company Ltd., Suzhou, China) ,  Chen Dunjun (School of Electronic Science and Engineering, Collaborative Innovation Center of Advanced Microstructures, Nanjing University, Nanjing, China) ,  Zhang Rong (School of Electronic Science and Engineering, Collaborative Innovation Center of Advanced Microstructures, Nanjing University, Nanjing, China) ,  Zheng Youdou (School of Electronic Science and Engineering, Collaborative Innovation Center of Advanced Microstructures, Nanjing University, Nanjing, China) ,  Lu Hai (School of Electronic Science and Engineering, Collaborative Innovation Center of Advanced Microstructures, Nanjing University, Nanjing, China)
資料名： IEEE Transactions on Power Electronics  (IEEE Transactions on Power Electronics)
巻： 37  号： 1  ページ： 26-30  発行年： 2022年 
JST資料番号： D0211B  ISSN： 0885-8993  CODEN： ITPEE8  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： ゲートスタック設計における逆p-n接合により,本研究では,通常,p-n接合/AlGaN/GaN高電子移動度トランジスタ(PNJ-HEMT)の1.2kV/25Aを実証した。ロバストゲート端子から,PNJ-HEMTは18.2Vの大きなゲート絶縁破壊電圧と1.7Vの正の閾値電圧を示し,広いゲートバイアスウィンドウを可能にした。その後,適用可能なV_GS10Vで,ナノ秒時間スケール(11.7ns上昇時間と10.5ns降下時間)における過渡スイッチング特性と動的R_on劣化に対する顕著な免疫,ならびに過渡過電圧下の記録-高動的絶縁破壊電圧(1.62kV)を実証した。特に,1.5kVのピーク過電圧で1百万回の動的ブレークダウン後に,頑丈な信頼性を検証した。知る限りでは,これは,かなりの信頼性を有する高V_GS(10V)GaN HEMTの回路レベルの動作能力の最初の実証であり,従来のp-GaNゲート端子デバイスにおける5Ω≦7VのV_GS限界を良好に超え,従って,高出力,高周波,および高信頼性の応用において大きなポテンシャルを持つ。Copyright 2021 The Institute of Electrical and Electronics Engineers, Inc. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： 接合 ,  信頼性 ,  *過電圧 ,  HF【周波数】 ,  *窒化ガリウム ,  ナノ秒 ,  *HEMT ,  *ロバスト性
準シソーラス用語： ゲートスタック ,  閾値電圧 ,  絶縁破壊電圧 ,  スイッチング特性 ,  高信頼性 ,  *AlGaN/GaN ,  ゲートバイアス , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (1件)： トランジスタ  (NC03070N)

タイトルに関連する用語 (9件)： ナノ秒 ,  スイッチング特性 ,  ロバスト ,  過電圧 ,  能力 ,  p-n接合 ,  AlGaN ,  GaN ,  HEMT