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J-GLOBAL ID：202102213286624087   整理番号：21A0147462

高線量Mg注入GaNにおけるパルスレーザアニーリングによる特性操作【JST・京大機械翻訳】

Property manipulation through pulsed laser annealing in high dose Mg-implanted GaN

著者 (10件)： Shi Ya-Ting (School of Electronic Science and Engineering, Nanjing University, Nanjing 210023, China) ,  Ren Fang-Fang (School of Electronic Science and Engineering, Nanjing University, Nanjing 210023, China) ,  Hao Jinggang (School of Electronic Science and Engineering, Nanjing University, Nanjing 210023, China) ,  Wang Zhengpeng (School of Electronic Science and Engineering, Nanjing University, Nanjing 210023, China) ,  Ye Jiandong (School of Electronic Science and Engineering, Nanjing University, Nanjing 210023, China) ,  Xu Wei-Zong (School of Electronic Science and Engineering, Nanjing University, Nanjing 210023, China) ,  Zhou Dong (School of Electronic Science and Engineering, Nanjing University, Nanjing 210023, China) ,  Zhang Rong (School of Electronic Science and Engineering, Nanjing University, Nanjing 210023, China) ,  Zheng Youdou (School of Electronic Science and Engineering, Nanjing University, Nanjing 210023, China) ,  Lu Hai (School of Electronic Science and Engineering, Nanjing University, Nanjing 210023, China)
資料名： Journal of Applied Physics  (Journal of Applied Physics)
巻： 128  号： 23  ページ： 235704-235704-8  発行年： 2020年 
JST資料番号： C0266A  ISSN： 0021-8979  CODEN： JAPIAU  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： イオン注入によるp型GaNの生成は,GaN系バイポーラ素子の大量生産における魅力的な命題であるが,注入誘起格子擾乱と欠陥の除去は困難な運動であり,GaN中の伝導率の転換を妨げる。パルスレーザーアニーリングは,格子結晶性を回復させ,保存された注入プロファイルを有するドーパントを活性化するための効果的なアニーリング技術である。本研究では,高線量マグネシウム(Mg)イオン注入GaNにおける構造的および光学的回復に及ぼすパルスレーザアニーリングの影響を調べた。構造発展と振動動力学は,パルスレーザーアニーリングプロセスの間にMg注入GaNの明白な構造回復と部分歪放出を示し,閾値レーザフルエンスは400mJ/cm2であり,一方,粗い表面構造は液相エピタクシーに類似した再成長機構の結果である。パルスレーザ照射後の3.35eVでのドナー-アクセプタ遷移の増強は,格子間サイトからGaイオンの置換へのMgの効果的な活性化の兆候である。これらの結果は,レーザアニーリング技術のさらなる最適化が,Mg注入GaNのp型伝導率を操作する有望な可能性を持ち,実用化のためにGaNバイポーラデバイスに実装されることを示唆する。Copyright 2021 AIP Publishing LLC All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： アクセプタ ,  最適化 ,  *焼なまし ,  ドナー ,  表面構造 ,  大量生産 ,  *マグネシウム ,  イオン注入 ,  結晶度 ,  *パルス ,  *窒化ガリウム ,  *レーザアニーリング ,  ドーパント ,  パルスレーザ照射
準シソーラス用語： レーザフルエンス , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (4件)： 半導体のルミネセンス  (BM08092S) ,  半導体薄膜  (BK14040E) ,  半導体の格子欠陥  (BK12040Q) ,  半導体の放射線による構造と物性の変化  (BK16123E)

タイトルに関連する用語 (6件)： 線量 ,  Mg ,  注入 ,  GaN ,  パルス ,  レーザアニーリング