文献

J-GLOBAL ID：202102213329121921   整理番号：21A2169704

AlGaN/GaN高Electron移動度トランジスタのエンハンスメントモードに対するフッ素処理とリセスゲートによる帯電効果【JST・京大機械翻訳】

Charging Effect by Fluorine-Treatment and Recess Gate for Enhancement-Mode on AlGaN/GaN High Electron Mobility Transistors

著者 (12件)： Kang Soo Cheol (DMC Convergence Research Department, Electronics and Telecommunications Research Institute (ETRI), Daejeon 34129, Korea) ,  Jung Hyun-Wook (DMC Convergence Research Department, Electronics and Telecommunications Research Institute (ETRI), Daejeon 34129, Korea) ,  Chang Sung-Jae (DMC Convergence Research Department, Electronics and Telecommunications Research Institute (ETRI), Daejeon 34129, Korea) ,  Kim Seung Mo (Center for Emerging Electronic Devices and Systems (CEEDS), Gwangju Institute of Science and Technology (GIST), Gwangju 61005, Korea) ,  Lee Sang Kyung (Center for Emerging Electronic Devices and Systems (CEEDS), Gwangju Institute of Science and Technology (GIST), Gwangju 61005, Korea) ,  Lee Byoung Hun (Center for Emerging Electronic Devices and Systems (CEEDS), Gwangju Institute of Science and Technology (GIST), Gwangju 61005, Korea) ,  Kim Haecheon (DMC Convergence Research Department, Electronics and Telecommunications Research Institute (ETRI), Daejeon 34129, Korea) ,  Noh Youn-Sub (DMC Convergence Research Department, Electronics and Telecommunications Research Institute (ETRI), Daejeon 34129, Korea) ,  Lee Sang-Heung (DMC Convergence Research Department, Electronics and Telecommunications Research Institute (ETRI), Daejeon 34129, Korea) ,  Kim Seong-Il (DMC Convergence Research Department, Electronics and Telecommunications Research Institute (ETRI), Daejeon 34129, Korea) ,  Ahn Ho-Kyun (DMC Convergence Research Department, Electronics and Telecommunications Research Institute (ETRI), Daejeon 34129, Korea) ,  Lim Jong-Won (DMC Convergence Research Department, Electronics and Telecommunications Research Institute (ETRI), Daejeon 34129, Korea)
資料名： Nanomaterials (Web)  (Nanomaterials (Web))
巻： 10  号： 11  ページ： 2116  発行年： 2020年 
JST資料番号： U7252A  ISSN： 2079-4991  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： スイス (CHE)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 増強モードAlGaN/GaN 金属-絶縁体-半導体高電子移動度トランジスタを,高電力素子と回路へのその信頼性のある応用性を調べるために,リセスゲートとCF4プラズマ処理を用いて作製した。フッ素化ゲートデバイスはDC電流-電圧測定中にヒステリシスを示し,ヒステリシスの極性と大きさはドレイン電圧に依存した。ヒステリシス現象は,Al_2O_3/AlGaN界面での電子捕獲によるものであり,パルスI-V測定によりミリ秒より長い充電時間が得られた。さらに,フッ素化ゲートデバイスのサブ閾値勾配は,イオン化フッ素による二次元電子ガス還元のため,正のゲートバイアスストレス後に増加した。この系統的観察は,フッ素イオンの影響がAlGaN/GaNパワー回路の設計のために考慮されるべきであることを明らかにした。Copyright 2021 The Author(s) All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： イオン化 ,  *移動度 ,  界面 ,  *帯電 ,  電流 ,  *トランジスタ ,  半導体 ,  *フッ素 ,  フッ素化 ,  充電 ,  HEMT ,  プラズマ処理
準シソーラス用語： *窒化アルミニウムガリウム ,  *AlGaN/GaN ,  *エンハンスメントモード , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (4件)： AlGaN/GaN HEMT ,  エンハンスメントモード ,  フッ素化ゲート ,  リセスゲート

分類 (1件)： トランジスタ  (NC03070N)

引用文献 (24件)：

• Dora, Y.; Chakraborty, A.; Mccarthy, L.; Keller, S.; Denbaars, S.P.; Mishra, U.K. High Breakdown Voltage Achieved on AlGaN/GaN HEMTs With Integrated Slant Field Plates. IEEE Electron Device Lett. 2006, 27, 713-715.
• Moens, P.; Banerjee, A.; Uren, M.J.; Meneghini, M.; Karboyan, S.; Chatterjee, I.; Vanmeerbeek, P.; Cäsar, M.; Liu, C.; Salih, A.; et al. Impact of buffer leakage on intrinsic reliability of 650V AlGaN/GaN HEMTs. In Proceedings of the 2015 IEEE International Electron Devices Meeting (IEDM), Washington, DC, USA, 7-9 December 2015; pp. 35.2.1-35.2.4.
• Ando, Y.; Kaneki, S.; Hashizume, T. Improved operation stability of Al2O3/AlGaN/GaN MOS high-electron-mobility transistors grown on GaN substrates. Appl. Phys. Express 2019, 12, 024002.
• Sippel, J.C.; Islam, S.S.; Mukheijee, S.S. A physics-based analytical model of a GaN/AlGaN HEMT incorporating spontaneous and piezoelectric polarization. In Proceedings of the Canadian Conference on Electrical and Computer Engineering 2004 (IEEE Cat. No.04CH37513), Niagara Falls, ON, Canada, 2-5 May 2004; Volume 3, pp. 1401-1404.
• Chiu, H.-C.; Yang, C.-W.; Chen, C.-H.; Fu, J.S.; Chien, F.-T. Characterization of enhancement-mode AlGaN/GaN high electron mobility transistor using N2O plasma oxidation technology. Appl. Phys. Lett. 2011, 99, 153508.

タイトルに関連する用語 (7件)： AlGaN ,  GaN ,  移動度 ,  トランジスタ ,  エンハンスメントモード ,  フッ素処理 ,  帯電