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J-GLOBAL ID：202102213908572839   整理番号：21A0538065

SIC MOS構造の耐放射線性の評価【JST・京大機械翻訳】

Assessing Radiation Hardness of SIC MOS Structures

著者 (8件)： Moreno J. (Alter Technology, Calle de la Majada,Tres Cantos,Spain) ,  Cordero E. (Alter Technology, Calle de la Majada,Tres Cantos,Spain) ,  Lopez D. (Alter Technology, Calle de la Majada,Tres Cantos,Spain) ,  Massetti S. (European Space Agency (ESTEC),Noordwijk,AG,The Netherlands,2200) ,  Cabello M. (Centro Nacional de Microelectronica (CNM-CSIC), Campus UAB,Barcelona,Spain,08193) ,  Soler V. (Centro Nacional de Microelectronica (CNM-CSIC), Campus UAB,Barcelona,Spain,08193) ,  Godignon P. (Centro Nacional de Microelectronica (CNM-CSIC), Campus UAB,Barcelona,Spain,08193) ,  Maset E. (University of Valencia, LEII,Burjassot,Spain,46100)
資料名： IEEE Conference Proceedings  (IEEE Conference Proceedings)
巻： 2018  号： RADECS  ページ： 1-8  発行年： 2018年 
JST資料番号： W2441A  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： ワイドギャップ半導体に基づく素子は,標準シリコンと比較して,質量節約,出力密度の増加に関して,潜在的利点を示す。より高い動作温度,これらの部品は,電力エレクトロニクスを冷却するために現在使用されている電力収支を減少できる。これらの因子は,例えばSiCデバイスが非常に有望である宇宙応用において重要である。しかし,この分野では,信頼性は最重要要件であり,放射条件はこれらの新技術の使用を妥協できる。Copyright 2021 The Institute of Electrical and Electronics Engineers, Inc. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： 信頼性 ,  電力 ,  ケイ素 ,  炭化ケイ素 ,  *耐放射線性 ,  宇宙空間 ,  パワーエレクトロニクス
準シソーラス用語： 出力密度 ,  ワイドギャップ半導体 ,  動作温度 , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (1件)： 図形・画像処理一般  (JE04010I)

タイトルに関連する用語 (4件)： SiC ,  MOS構造 ,  耐放射線性 ,  評価