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J-GLOBAL ID：202102214364055927   整理番号：21A0038617

その場抵抗,X線回折およびRaman分光法研究により明らかにした非晶質薄Ge_20Te_80膜の温度依存局所構造変化【JST・京大機械翻訳】

Temperature-Dependent Local Structural Changes of Amorphous Thin Ge₂₀Te₈₀ Film Revealed by In Situ Resistance, X-Ray Diffraction, and Raman Spectroscopy Studies

著者 (2件)： Sengottaiyan Rathinavelu (Discipline of Electrical Engineering, Indian Institute of Technology Indore, Indore, 453552, India) ,  Manivannan Anbarasu (Department of Electrical Engineering, Indian Institute of Technology Madras, Chennai, 600036, India)
資料名： Physica Status Solidi. B. Basic Solid State Physics  (Physica Status Solidi. B. Basic Solid State Physics)
巻： 257  号： 12  ページ： e2000451  発行年： 2020年 
JST資料番号： C0599A  ISSN： 0370-1972  CODEN： PSSBBD  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： GeTe_6とGe_xSe_100-xを含む多数のカルコゲン化物ガラス系が,垂直積層可能な交差点メモリ応用におけるOvonic閾値スイッチ(OTS)セレクタのために研究されているが,高温における改善された熱的および構造的安定性は依然として重要な課題のままである。ここでは,堆積したままの非晶質薄膜Ge_20Te_80膜の熱安定性と局所構造変化に関する系統的な温度依存実験的研究を25~260°Cの広い温度範囲で行った。コヒーレントな実験的研究は,非晶質相が180°Cまで安定であり,結晶化プロセスは,温度に依存するシート抵抗,X線回折,およびRaman分光測定によって実証されたように,≒238°CまでTeとGeTeの同時結晶化によって,180°C以上で開始されることを明らかにした。さらに,Ge_20Te_80薄膜の結晶化過程にわたる局所構造変化をRaman分光法で解明した。これらの実験結果は,安定なOTSセレクタ材料を設計するためのGe_20Te_80薄膜の熱安定性と構造発展の決定的な理解を提供する。Copyright 2021 Wiley Publishing Japan K.K. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： *X線回折 ,  記憶装置 ,  結晶化 ,  高温 ,  コヒーレンス ,  薄膜 ,  *テルル ,  *温度依存性 ,  *非晶質 ,  *Raman分光法 ,  シート抵抗 ,  カルコゲン化物ガラス
準シソーラス用語： GeTe ,  温度範囲 ,  非晶質薄膜 , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (5件)： カルコゲナイドガラス ,  失透 ,  Ge_20Te_80 ,  OTSセレクタ ,  Raman分光法

分類 (1件)： 半導体薄膜  (BK14040E)

タイトルに関連する用語 (6件)： X線回折 ,  Raman分光法 ,  研究 ,  非晶質 ,  温度依存 ,  局所構造