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J-GLOBAL ID：202102215033493089   整理番号：21A0147410

r面Al_2O_3上の1000°Cでのパルスレーザ蒸着からのコランダム相(Al,Ga)_2O_3薄膜のエピタキシャル成長と歪緩和【JST・京大機械翻訳】

Epitaxial growth and strain relaxation of corundum-phase (Al,Ga)₂O₃ thin films from pulsed laser deposition at 1000 °C on r-plane Al₂O₃

著者 (3件)： Grundmann M. (Universitaet Leipzig, Felix Bloch Institute for Solid State Physics, Linnestr. 5, D-04103 Leipzig, Germany) ,  Stralka T. (Universitaet Leipzig, Felix Bloch Institute for Solid State Physics, Linnestr. 5, D-04103 Leipzig, Germany) ,  Lorenz M. (Universitaet Leipzig, Felix Bloch Institute for Solid State Physics, Linnestr. 5, D-04103 Leipzig, Germany)
資料名： Applied Physics Letters  (Applied Physics Letters)
巻： 117  号： 24  ページ： 242102-242102-4  発行年： 2020年 
JST資料番号： H0613A  ISSN： 0003-6951  CODEN： APPLAB  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： r面(01.2)Al_2O_3基板上のコランダム相中の(Al,Ga)_2O_3合金薄膜のエピタキシャル成長を調べた。750°Cと1000°Cの基板温度でパルスレーザ蒸着により成長させた膜を比較した。a面角柱すべり系を通る初期強異方性塑性ひずみ緩和を,関連する滑り線を画像化することによって直接証明した。高い基板温度で強化された塑性緩和を見出した。ターゲットから膜への化学量論移動の詳細を議論した。Copyright 2021 AIP Publishing LLC All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： 異方性 ,  *薄膜 ,  *コランダム ,  角柱 ,  化学量論 ,  *緩和現象 ,  塑性歪 ,  *薄膜成長 ,  基板温度 ,  *パルスレーザ蒸着
準シソーラス用語： *歪緩和 ,  画像化 ,  合金薄膜 ,  滑り線 ,  すべり系 ,  塑性緩和 , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (1件)： 酸化物薄膜  (BK14050P)

タイトルに関連する用語 (7件)： パルスレーザ蒸着 ,  コランダム ,  Al ,  Ga ,  薄膜 ,  エピタキシャル成長 ,  歪緩和