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J-GLOBAL ID：202102215327958762   整理番号：21A2729334

極端紫外(EUV)フォトレジスト樹脂および合成法の進展【JST・京大機械翻訳】

Development of Photoresist Resins and Their Synthesis Methods for Extreme Ultraviolet Lithography

著者 (2件)： Wen Shuai (青島科技大学橡塑材料与工程教育部重点実験室,山東青島266042) ,  Liu Qiang (青島科技大学橡塑材料与工程教育部重点実験室,山東青島266042)
資料名： Yingxiang Kexue Yuguanghuaxue  (Yingxiang Kexue Yuguanghuaxue)
巻： 39  号： 4  ページ： 504-511  発行年： 2021年 
JST資料番号： C3040A  ISSN： 1674-0475  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： 中国 (CHN)  言語： 中国語 (ZH)

抄録/ポイント： 極端紫外線リソグラフィ(EUVL)は22nmと以下のノード集積回路製造を実現する最も高効率なプロセス技術である。本文では、EUVフォトレジスト樹脂の構造特徴及びフォトリソグラフィー性能への影響を紹介し、近年化学増幅型と非化学増幅型EUVフォトレジスト樹脂の合成法を重点的に整理した。最後に、EUVフォトレジスト樹脂の構造設計について分析と展望を行った。Data from Wanfang. Translated by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： 構造設計 ,  構造特性 ,  フォトリソグラフィー ,  *極端紫外線
準シソーラス用語： 高効率 ,  極端紫外線リソグラフィー ,  EUVフォトレジスト , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (1件)： 固体デバイス製造技術一般  (NC03030V)

タイトルに関連する用語 (5件)： 極端紫外 ,  EUV ,  フォトレジスト樹脂 ,  合成法 ,  進展