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J-GLOBAL ID：202102215726665402   整理番号：21A0011536

ファンアウトの再分布層に用いるナノ双晶Cuの高エレクトロマイグレーション抵抗【JST・京大機械翻訳】

High Electromigration Resistance of Nanotwinned Cu Used in Redistribution Layers of Fan-out

著者 (4件)： Tseng I-Hsin (National Chiao Tung University,Department of Materials Science and Engineering,1001 Ta Hsueh Road, Hsin-Chu, Taiwan,ROC,30010) ,  Lin Benson (MediaTek Inc PT, MediaTek Inc.,Hsinchu,Taiwan,300) ,  Chang Chia-Cheng (MediaTek Inc PT, MediaTek Inc.,Hsinchu,Taiwan,300) ,  Chen Chih (National Chiao Tung University,Department of Materials Science and Engineering,1001 Ta Hsueh Road, Hsin-Chu, Taiwan,ROC,30010)
資料名： IEEE Conference Proceedings  (IEEE Conference Proceedings)
巻： 2020  号： IMPACT  ページ： 1-4  発行年： 2020年 
JST資料番号： W2441A  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 最近,市販電子製品の要求は増加し続け,パッケージサイズは減少し続けている。ファンアウトパッケージと三次元集積回路(3D IC)の再分布線(RDL)は狭くなり,RDLsの高い電流密度をもたらす。チップを垂直に積層し,RC遅延を減少できる三次元集積回路。大規模ICのスケーリングは物理的限界に直面したので,IC産業は顧客のニーズを満たすためのMooreの法則に従うよう試みている。3D ICを用いて,形状因子を減らすだけでなく,電力効率も増強した。入力/出力ピン数は増加し,一方,はんだ継手のサイズは減少した。それは必然的に,継手におけるより高い電流密度と動作温度をもたらす。それはエレクトロマイグレーションや熱マイグレーションのような厳しい信頼性問題を引き起こす。さらに,RDLsは以前により高い電流密度を運ぶ。3D ICの体積が小さくなるにつれて,銅は相互接続における臨界材料である。銅は1.7μΩの低い抵抗率,高い伝導率401Wm.1K.1,およびエレクトロマイグレーションに抵抗する優れた能力を有した。最近,高度に好ましい配向ナノ双晶銅が広範囲に研究されている。高(111)配向ナノ双晶銅(nt-Cu)は優れた機械的強度と高い延性を有する。nt-Cuの伝導率はバルク銅とほぼ同じであった。銅中のナノスケール双晶はエレクトロマイグレーションの高い抵抗に寄与することが報告されている。したがって,RDLの材料としてnt-Cuを使用し,エレクトロマイグレーション試験の破壊メカニズムを観察する。また,nt-Cu RDL線のエレクトロマイグレーション寿命をランダム配向Cuと比較した。Copyright 2021 The Institute of Electrical and Electronics Engineers, Inc. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： 延性 ,  *双晶 ,  電気抵抗率 ,  信頼性 ,  *銅 ,  相互接続 ,  三次元 ,  *エレクトロマイグレーション ,  機械的強度
準シソーラス用語： 破壊機構 ,  配線遅延 ,  ナノスケール ,  *ナノ双晶 ,  三次元集積回路 ,  はんだ継手 , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (1件)： 図形・画像処理一般  (JE04010I)

タイトルに関連する用語 (5件)： ファンアウト ,  再分布 ,  ナノ双晶 ,  Cu ,  エレクトロマイグレーション